650V碳化硅MOSFET扩展了符合AEC-Q101标准的E3M系列
电动汽车 （ev） 市场的快速增长（预计未来十年的复合年增长率将高达 25%1）是由环境问题和政府支持推动的，并由满足高效率和功率密度要求的碳化硅 （sic） 器件技术实现。
车载充电器（obc）是现代电动汽车中的关键电力电子系统之一，包括ac-dc和dc-dc功率级。在当今的主流车型中，6.6 kw 单向 obc 在配备 400 v 电池系统的电动汽车中很受欢迎。然而，双向 obc 支持新兴车辆到电网 （v2g） 服务的趋势越来越明显。阿拉伯数字
wolfspeed 的新型汽车级 e 系列 （e3m） 650 v、60 mω mosfet 系列可帮助设计人员满足 ev obc 应用领域的需求。e3m3d 和 e0060065m3k 器件（图 0060065）采用该公司的第三代 sic mosfet 技术开发，具有高阻塞电压和低导通电阻、低电容的高速开关、快速体二极管带来的非常低的反向恢复电荷 （qrr），以及 1° c 的高最高结温 tj。
重要的是，这些器件完全符合aec-q101（修订版e）标准的汽车认证，并且具有生产零件批准流程（ppap）功能。ppap 功能意味着 wolfspeed 能够充分理解并始终如一地满足设计人员的所有规格要求，从而使设计人员对器件生产过程充满信心。
图 1：e3m0060065d 和 e3m0060065d 是无卤素、符合 rohs 标准的器件，符合 aec-q101 标准且支持 ppap。
与市场上的 650 v 碳化硅 mosfet 相比，wolfspeed 的 e3m 650 v 碳化硅 mosfet 技术使系统运行温度更低，损耗更低，从而在终端应用中显著提高效率（图 2）。较低的损耗意味着外壳温度降低，从而降低了系统级热管理并提高了系统级功率密度。
图 2：由于 wolfspeed 器件提供更高的效率或更低的损耗，因此它们的运行温度明显低于竞争的碳化硅 mosfet。
为您的设计选择封装
wolfspeed 的新型 e 系列 650 v 60 mω 碳化硅 mosfet 采用两种不同的封装类型。e3m0060065d 采用三引脚 to-247-3l 封装，而 e3m0060065k 采用四引脚版本 — to-247-4l — 可容纳开尔文源极引脚。开尔文源极连接消除了源极电感，从而降低了开关损耗并加快了开关速度。
开尔文源允许设计人员利用碳化硅器件必须提供的最佳开关特性。因此，采用不同封装的相同芯片可以提供不同的性能。例如，e3m0060065d 在 ids 为 20 a 时的总开关损耗 e 总计约为 300μj，而对于 e3m0060065k，相同条件下的 e总计接近 62μj（图 3）。
图 3：在 vdd = 400v 时，箝位电感开关能量与漏极电流的关系图
e 系列 （e3m） 650 v 60 mω 碳化硅 mosfet 在 ev obc 应用中的应用
典型的基于碳化硅mosfet的双向设计（如图4所示）包括用于ac-dc部分的图腾柱配置和双向cllc谐振dc-dc，所有这些都可以从新的e系列（e3m）650v sic mosfet中受益。
与全硅双向 ev obc 设计相比，wolfspeed e 系列 （e3m） 650 v 60 mω 碳化硅 mosfet 设计可显著节省无源器件（包括电容器和磁性元件）以及热管理和外壳成本。这些节省主要是由于能够提高开关频率fs，同时实现更高的效率。例如，ac-dc 部分以 67 khz 的频率切换，而硅的典型高点为 20 khz。同样，dc-dc开关频率可以从硅的典型80-120 khz范围增加到基于碳化硅的解决方案的150-300 khz。
图 4：碳化硅的高开关频率能力（下图）使设计人员能够节省无源器件的成本，同时其高效率降低了热管理费用（右）。
获取 wolfspeed 的设计导入帮助
wolfspeed 提供多种参考设计和评估套件，以减轻设计难题。6.6 kw 双向 obc 参考设计 crd-06600ff065n-k 可快速启动项目，并帮助设计新的 e3m 650 v 碳化硅 mofet。
浮点数判零
一款可快速部署LoRa Basics™ Station并连接到TTS V3的容器
单相无刷直流电机在家电市场上的应用
Mini LED电视有何强大之处—Mini LED电视评测
2018全球生物特征识别大会,共同探讨智能时代生物识别新机遇
650V碳化硅MOSFET扩展了符合AEC-Q101标准的E3M系列
小编科普一下19个Shell脚本
为什么区块链技术也称为分布式分类帐技术
时间短见效快的搪瓷罐腐蚀渗漏治理方法
红米Note4X今日发布 小米首款预售手机
乐视电动汽车真伪：探访美国FF厂区
一种采用超弹性模型和赫兹接触模型的柔性压力传感器
小米即将发布新机汇总：小米Note3、小米MIX2、小米6Plus、红米Note5、红米Pro2，你期待吗？
电压致动器优势
小功率开关电源芯片U6117S
利用TMC428控制器和MCS51单片机实现步进电机驱动控制系统的设计
德国人工智能研究中心与IAV联合研发实验室：研发人工智能应用汽车
如何通过检测电源电压确定是否进行了断相保护
正确的电源纹波测试方法介绍
试用手记：为国产FPGA正名(五，外扩SFR使用)
车载充电器（obc）是现代电动汽车中的关键电力电子系统之一，包括ac-dc和dc-dc功率级。在当今的主流车型中，6.6 kw 单向 obc 在配备 400 v 电池系统的电动汽车中很受欢迎。然而，双向 obc 支持新兴车辆到电网 （v2g） 服务的趋势越来越明显。阿拉伯数字
wolfspeed 的新型汽车级 e 系列 （e3m） 650 v、60 mω mosfet 系列可帮助设计人员满足 ev obc 应用领域的需求。e3m3d 和 e0060065m3k 器件（图 0060065）采用该公司的第三代 sic mosfet 技术开发，具有高阻塞电压和低导通电阻、低电容的高速开关、快速体二极管带来的非常低的反向恢复电荷 （qrr），以及 1° c 的高最高结温 tj。
重要的是，这些器件完全符合aec-q101（修订版e）标准的汽车认证，并且具有生产零件批准流程（ppap）功能。ppap 功能意味着 wolfspeed 能够充分理解并始终如一地满足设计人员的所有规格要求，从而使设计人员对器件生产过程充满信心。
图 1：e3m0060065d 和 e3m0060065d 是无卤素、符合 rohs 标准的器件，符合 aec-q101 标准且支持 ppap。
与市场上的 650 v 碳化硅 mosfet 相比，wolfspeed 的 e3m 650 v 碳化硅 mosfet 技术使系统运行温度更低，损耗更低，从而在终端应用中显著提高效率（图 2）。较低的损耗意味着外壳温度降低，从而降低了系统级热管理并提高了系统级功率密度。
图 2：由于 wolfspeed 器件提供更高的效率或更低的损耗，因此它们的运行温度明显低于竞争的碳化硅 mosfet。
为您的设计选择封装
wolfspeed 的新型 e 系列 650 v 60 mω 碳化硅 mosfet 采用两种不同的封装类型。e3m0060065d 采用三引脚 to-247-3l 封装，而 e3m0060065k 采用四引脚版本 — to-247-4l — 可容纳开尔文源极引脚。开尔文源极连接消除了源极电感，从而降低了开关损耗并加快了开关速度。
开尔文源允许设计人员利用碳化硅器件必须提供的最佳开关特性。因此，采用不同封装的相同芯片可以提供不同的性能。例如，e3m0060065d 在 ids 为 20 a 时的总开关损耗 e 总计约为 300μj，而对于 e3m0060065k，相同条件下的 e总计接近 62μj（图 3）。
图 3：在 vdd = 400v 时，箝位电感开关能量与漏极电流的关系图
e 系列 （e3m） 650 v 60 mω 碳化硅 mosfet 在 ev obc 应用中的应用
典型的基于碳化硅mosfet的双向设计（如图4所示）包括用于ac-dc部分的图腾柱配置和双向cllc谐振dc-dc，所有这些都可以从新的e系列（e3m）650v sic mosfet中受益。
与全硅双向 ev obc 设计相比，wolfspeed e 系列 （e3m） 650 v 60 mω 碳化硅 mosfet 设计可显著节省无源器件（包括电容器和磁性元件）以及热管理和外壳成本。这些节省主要是由于能够提高开关频率fs，同时实现更高的效率。例如，ac-dc 部分以 67 khz 的频率切换，而硅的典型高点为 20 khz。同样，dc-dc开关频率可以从硅的典型80-120 khz范围增加到基于碳化硅的解决方案的150-300 khz。
图 4：碳化硅的高开关频率能力（下图）使设计人员能够节省无源器件的成本，同时其高效率降低了热管理费用（右）。
获取 wolfspeed 的设计导入帮助
wolfspeed 提供多种参考设计和评估套件，以减轻设计难题。6.6 kw 双向 obc 参考设计 crd-06600ff065n-k 可快速启动项目，并帮助设计新的 e3m 650 v 碳化硅 mofet。
浮点数判零
一款可快速部署LoRa Basics™ Station并连接到TTS V3的容器
单相无刷直流电机在家电市场上的应用
Mini LED电视有何强大之处—Mini LED电视评测
2018全球生物特征识别大会,共同探讨智能时代生物识别新机遇
650V碳化硅MOSFET扩展了符合AEC-Q101标准的E3M系列
小编科普一下19个Shell脚本
为什么区块链技术也称为分布式分类帐技术
时间短见效快的搪瓷罐腐蚀渗漏治理方法
红米Note4X今日发布 小米首款预售手机
乐视电动汽车真伪：探访美国FF厂区
一种采用超弹性模型和赫兹接触模型的柔性压力传感器
小米即将发布新机汇总：小米Note3、小米MIX2、小米6Plus、红米Note5、红米Pro2，你期待吗？
电压致动器优势
小功率开关电源芯片U6117S
利用TMC428控制器和MCS51单片机实现步进电机驱动控制系统的设计
德国人工智能研究中心与IAV联合研发实验室：研发人工智能应用汽车
如何通过检测电源电压确定是否进行了断相保护
正确的电源纹波测试方法介绍
试用手记：为国产FPGA正名(五，外扩SFR使用)