3系列FPGA中使用LUT构建分布式RAM(2)

分布式ram支持以下的单口ram与双口ram类型:
带有异步写/同步读的sram,其中的同步读取可以使用与分布式ram相关联的触发器实现。
带有一个同步写端口与两个异步读端口的dram,其中同步同步读的原理与前者相同。
图1给出了sram与dram的示意,可以看出dram有一个读/写端口和一个独立的读端口。任何对d输入端口的写操作和对spo输出端口的读操作可以同时进行,并且和对另一个读端口即dpo的读操作是互相独立的。
图1 sram与dram的示意
写操作是在写使能信号we控制下的单时钟沿操作。we默认是高有效的。当写使能为高时,在时钟沿锁存写地址,并将数据写入所选择ram区域的d端口。读操作则是纯组合的:单口或者双口模式的地址端口是异步访问的,其延迟时间与lut是逻辑延迟是一致的。
若读、写操作同时发生,则在同步写入信的数据时,输出反映的正在被写入内存单元的数据,这一机制与spartan-3系列fpga中块ram的机制是类似的,在相应的user guide中被称为“write_mode=write_first”。图2给出了这种操作的时序图。
图2 读、写操作同时发生时的时序图
总结上面提到的几种操作,可以得到以下特征:
一次写操作只需要一个时钟沿。
读操作只需要逻辑读取的时间。
输出是异步的,并且其延只与lut的逻辑延迟有关。
数据与地址输入被写时钟所存,并且有特定的建立时间要求,但不需要保持时间。
双口ram的a[#:0]端口是读和写的地址,dpra[#:0]端口是独立的只读的地址。
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