Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列
宾夕法尼亚、malvern — 2012 年 10 月22 日 — 日前，vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，其e系列600v功率mosfet新增采用8种封装的17款新器件，将该系列mosfet在10v下的导通电阻扩展到39mω～600mω，将最高电流等级扩展至7a～73a。新的e系列mosfet采用vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。
今天发布的器件使600v e系列mosfet的器件数量增加到27个。所有的e系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导损耗和开关损耗，从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(ups)、电池充电器、led照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。
器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲，保证通过100% uis测试时达到极限条件。mosfet符合rohs指令。
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