3种MOS管的基本电路及拓扑结构的放大特性
mos管有三个端子，确切的说，有四个端子，分别是源极，漏极，栅极还有衬底极。
衬底极一般，要么与gnd连接(nmos)，要么与vdd连接(pmos)，所以，一般看到的mos管主要就有三个端子。
与源极，漏极和栅极相对应的电路结构，就是共源放大器，共漏放大器，共栅放大器。
共源放大器，输入在栅极，输出在漏极。
共栅放大器，输入在源极，输出在漏极。
共漏放大器，输入在栅极，输出在源极，又称为源极跟随器。
三种基本拓扑结构的放大特性
这里主要关注三种基本拓扑结构的以下三种基本特性，分别为电压增益，输入阻抗，和输出阻抗。
输入阻抗和输出阻抗，在电路的设计中很重要。
输入/输出阻抗时在电路的输入/输入节点之间测量的，同时电路中所有的独立源都设置为0，即电压源短路，电流源开路。
这边的输入/输出阻抗，都默认是信号电平很小的时候的值。
电压放大器在正常工作期间，是由电压源驱动的，而由于所有的独立源需要设置为0，所有在测试输出阻抗时，将输入端短路。
电压放大器在正常工作期间，输出端没有与外界源连接，所以在测试输入阻抗时，输出端开路。
共源拓扑结构
如果要考虑沟道调制效应的影响，则：
共栅拓扑结构
如果考虑沟道调制效应，则又变成：
共漏拓扑结构
如果考虑沟道调制效应，则如下：
总结：
共源和共漏极的输入阻抗都很大，但是共栅极的输入阻抗很小。如果共源极后面，直接级联共栅放大器的话，增益肯定会大幅度减小，但是，如果在中间隔个源极跟随器的话，效果就会好很多。
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