HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）
htr-4立式4寸快速退火炉
htr-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在ic晶圆、led晶圆、mems、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。
主要应用领域：
1.快速热处理(rtp)，快速退火(rta)，快速热氧化(rto)，快速热氮化(rtn)；
2.离子注入/接触退火；
3.金属合金；
4.热氧化处理；
5.化合物合金（砷化镓、氮化物等）；
6.多晶硅退火；
7.太阳能电池片退火；
8.高温退火；
9.高温扩散。
产品特点：
· 可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。
· 压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。
· 存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。
· 快速控温与高真空：最高升温速率可达150℃/s，真空度最高可达到10-5pa。
· 程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用mfc精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。
· 独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%。
· 全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。
· 超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。
·
· 主要技术参数：
最大样品尺寸 4英寸（直径100mm）
控温范围 rt~1200℃
升温速率（max） 150℃/s
高温段降温速率（max） 1200℃/min
控温精度 ±0.5℃
温场均匀性 ≤1%
气体流量 标配1路mfc控制（氮气）可扩展至4路
压力控制 ~1bar，±100pa
工艺条件 支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛，一键设置通过软件控制真空及通气时间
·
受巴甫洛夫启发，研究人员利用光将经典条件反射带入人工智能
华为全球首款无谷歌服务旗舰机大卖，出货量超700万台
合肥阳光电源：产业的发展和政策有关
无锡磁环电感厂家揭秘带底座磁环电感封装尺大小和什么有关
如何在家中托管自己的云服务器
HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）
Google已开始进行更改，并已开始更新其iOS版本的应用程序
高通骁龙888采用集成5nm基带，带来极致网络速度
采购低价UVLED固化机时需要注意什么
揭秘：“新工科”到底新在哪？
浅谈采用图像传感器的CPLD视觉系统设计方法
射频电路印刷电路板的电磁兼容性设计
可燃气体检测仪选购窍门
笼罩在阴影下的乐视美国：改变执行战术 先要活下去
4线制传感器发射器输出级设计
Intersil双协议收发器数据率达20Mbps，可用于工业
为什么要混合电动化？ 三相电机驱动架构
广汽本田e:NP1极湃1获中国生态汽车白金牌
Qualcomm XR企业计划推动XR在多个垂直行业的应用
显卡芯片
htr-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在ic晶圆、led晶圆、mems、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。
主要应用领域：
1.快速热处理(rtp)，快速退火(rta)，快速热氧化(rto)，快速热氮化(rtn)；
2.离子注入/接触退火；
3.金属合金；
4.热氧化处理；
5.化合物合金（砷化镓、氮化物等）；
6.多晶硅退火；
7.太阳能电池片退火；
8.高温退火；
9.高温扩散。
产品特点：
· 可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。
· 压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。
· 存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。
· 快速控温与高真空：最高升温速率可达150℃/s，真空度最高可达到10-5pa。
· 程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用mfc精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。
· 独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%。
· 全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。
· 超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。
·
· 主要技术参数：
最大样品尺寸 4英寸（直径100mm）
控温范围 rt~1200℃
升温速率（max） 150℃/s
高温段降温速率（max） 1200℃/min
控温精度 ±0.5℃
温场均匀性 ≤1%
气体流量 标配1路mfc控制（氮气）可扩展至4路
压力控制 ~1bar，±100pa
工艺条件 支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛，一键设置通过软件控制真空及通气时间
·
受巴甫洛夫启发，研究人员利用光将经典条件反射带入人工智能
华为全球首款无谷歌服务旗舰机大卖，出货量超700万台
合肥阳光电源：产业的发展和政策有关
无锡磁环电感厂家揭秘带底座磁环电感封装尺大小和什么有关
如何在家中托管自己的云服务器
HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）
Google已开始进行更改，并已开始更新其iOS版本的应用程序
高通骁龙888采用集成5nm基带，带来极致网络速度
采购低价UVLED固化机时需要注意什么
揭秘：“新工科”到底新在哪？
浅谈采用图像传感器的CPLD视觉系统设计方法
射频电路印刷电路板的电磁兼容性设计
可燃气体检测仪选购窍门
笼罩在阴影下的乐视美国：改变执行战术 先要活下去
4线制传感器发射器输出级设计
Intersil双协议收发器数据率达20Mbps，可用于工业
为什么要混合电动化？ 三相电机驱动架构
广汽本田e:NP1极湃1获中国生态汽车白金牌
Qualcomm XR企业计划推动XR在多个垂直行业的应用
显卡芯片