沁恒微USB2.0 CH334U与FE1.1S功能对比兼容，删减部分元器件，或者改变部分元器件参数即可实现PCB兼容设计
ch334u是符合 usb2.0 协议规范的高性能mtt 4 端口 usb2.0 hub 控制器芯片，高esd特性，工业级设计，外围精简，可应用于计算机和工控机主板、 外设、 嵌入式系统。ch334u与fe1.1s引脚兼容，删减部分元器件，或者改变部分元器件参数即可实现pcb兼容设计。
ch334u和fe1.1s参数对比：
ch334u fe1.1s
tt模式 mtt stt
工作温度 工业级：-40~85℃ 商业级：0~70℃
esd class3a，~6kv class2，~2kv
过流检测 gang模式 gang模式
功耗@空闲 0.31ma 1ma
功耗@单高速 43ma 57ma
功耗@四高速 84ma 100ma
ch334u为工业级hub，支持-40~85℃温度工作范围，具有更高的esd特性，支持6kv，此外ch334u也有更低的运行功耗，整体功耗降低20%左右，ch334u采用并行mtt结构设计，相较于stt模式，tt模式下usb传输带宽理论提升4倍。
硬件设计对比：
ch334u采用了更高的设计工艺，集成度有了很大提升，对比ch334u和fe1.1s的硬件参考电路，可以看出ch334u元器件更少，外围更加简单。
在实现pcb兼容设计时可以这么做。（本次fe1.1s的图为fe1.1s rev.b）
(1) fe1.1s的12脚（vd18_o）和28脚（vd18）如果有退耦电容换成0欧姆的电阻或者直接去掉，ch334u这两个脚为gnd。本图无需修改。
(2) fe1.1s的14脚（rext）的对地电阻（r5去除，ch334u 可以节省一颗1%精度电阻。
(3) fe1.1s的17脚（xrstj）上拉电阻（r3），建议去掉。ch334u内部有上拉。
(4) fe1.1s的18脚（vbusm）相连接的电阻电容全部去掉（r4、r2、c8）。ch334u此脚为nc。
(5) fe1.1s的19脚（busj）如果是上拉电阻（r1），可以去除；如果接的是对地电阻，建议修改为4.7k；
(6) fe1.1s的20脚（vdd5）如果中间有串联电阻或者电感(l2)，可以修改为二极管in4001等用于保护。退耦电容可将c3，c4，c5删除。
(7) fe1.1s的21脚（vd33_o）的对地电容（c1）修改为0.47-3.3uf的范围内，建议1uf,ch334u 可以使用更小容量退耦电容，体积更小，成本更低。
ch334u硬件设计：
完整的ch334u硬件电路设计可以参考下图，
注释：26脚（ovcur#）为过流检测脚，如果不使用过流检测功能，则该引脚连接10k上拉电阻至vdd33s即可.
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esd class3a，~6kv class2，~2kv
过流检测 gang模式 gang模式
功耗@空闲 0.31ma 1ma
功耗@单高速 43ma 57ma
功耗@四高速 84ma 100ma
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ch334u采用了更高的设计工艺，集成度有了很大提升，对比ch334u和fe1.1s的硬件参考电路，可以看出ch334u元器件更少，外围更加简单。
在实现pcb兼容设计时可以这么做。（本次fe1.1s的图为fe1.1s rev.b）
(1) fe1.1s的12脚（vd18_o）和28脚（vd18）如果有退耦电容换成0欧姆的电阻或者直接去掉，ch334u这两个脚为gnd。本图无需修改。
(2) fe1.1s的14脚（rext）的对地电阻（r5去除，ch334u 可以节省一颗1%精度电阻。
(3) fe1.1s的17脚（xrstj）上拉电阻（r3），建议去掉。ch334u内部有上拉。
(4) fe1.1s的18脚（vbusm）相连接的电阻电容全部去掉（r4、r2、c8）。ch334u此脚为nc。
(5) fe1.1s的19脚（busj）如果是上拉电阻（r1），可以去除；如果接的是对地电阻，建议修改为4.7k；
(6) fe1.1s的20脚（vdd5）如果中间有串联电阻或者电感(l2)，可以修改为二极管in4001等用于保护。退耦电容可将c3，c4，c5删除。
(7) fe1.1s的21脚（vd33_o）的对地电容（c1）修改为0.47-3.3uf的范围内，建议1uf,ch334u 可以使用更小容量退耦电容，体积更小，成本更低。
ch334u硬件设计：
完整的ch334u硬件电路设计可以参考下图，
注释：26脚（ovcur#）为过流检测脚，如果不使用过流检测功能，则该引脚连接10k上拉电阻至vdd33s即可.
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