富士通FRAM是断电情况下也能保留数据非易失性的存储器
富士通fram是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。fram的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与eeprom、flash等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
mb85r4002a是fram（铁电随机存取存储器）芯片，由262，144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅cmos工艺技术制造。能够保留数据，而无需使用sram所需的备用电池。mb85r4002a中使用的存储单元可用于1010个读/写操作，与flash存储器和e2prom支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。mb85r4002a使用与常规异步sram兼容的伪sram接口。
引脚封装
特点
•位配置：262，144字×16位
•lb和ub数据字节控制
•读写续航力：1010次/字节
•数据保留：10年（+ 55°c），55年（+ 35°c）
•工作电源电压：3.0 v至3.6 v
•低功耗运行：工作电源电流15 ma（典型值），待机电流50μa（典型值）
•工作环境温度范围：−40°c至+ 85°c
•封装：48引脚塑料tsop（fpt-48p-m48）
符合rohs
非易失性存储器fram，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入时间较通用eeprom及闪存要短，具有写入能耗低的优点。富士通fram代理英尚微电子为用户提供应用解决方案等产品服务。
fqj
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