电路中的自举电容分析
h桥驱动电路中的自举电容分析
我想利用 h 桥驱动电路中的 mos 和 mosdriver 电路来分析一下自举电容的工作原理和过程，因为使用 h 桥电路推动感性负载时，和 dcdc芯片推动储能电感降压时的工作原理基本上是相同的。
首先，上下桥的两个 mos 管不可以同时导通，那么在下管导通的时候，上图中红色箭头标注的是自举电容的充电回路。在这个阶段，自举电容的 ab两端被充电为 12v。下一个阶段，下管关闭，此时上管 q1 的 s 极处于浮动状态，ir2014 内部将 vb 引脚链接到 ho 引脚即可在 q1 的 gs两极并联上充满电的自举电容，因此 vgs = 12v，使得 q1 导通。如此循环，上管关闭后，下管打开，再继续为自举电容充电，为下一次上管打开做准备。
同步 dcdc 电路中的自举电容
同步 dc-dc 芯片中的自举电容的原理与上文中提到的 h桥驱动非常相似，我们看一下同步dc-dc 芯片的内部框图来看一下自举回路。
框图中，两个绿色圆圈的 vcc 是 dc-dc 芯片内部稳压出来的一个可以驱动 mos开启的电压，也可以供芯片内部其他逻辑电路使用，这里你可以理解为上一章节中 ir2014 的输入电压 12v。然后就跟 h 桥电路中的逻辑一样，当低边 mos管通过 ls driver （这里可以直接用 vcc 驱动，因为是低边的 nmos）导通时，自举电容的回路通过红色箭头的回路进行充电，将自举电容两端电压 v+和v-之间充到 vcc 的电压。此时，buck 电路处于续流状态，因此绿色箭头表示的是电源输出与负载回路的续流回路。
当续流完毕，低边 nmos 将被关闭，高边 nmos 将由 hs driver 选择将 c1 电容直接并接在高边 nmos 的 gs 两端，高边nmos 打开为电感补充能量。如果 dc-dc 中的高边 nmos 换成一个 pmos
的话，我们就没有必要大费周折的去给一个电容充电了，直接给一个比系统输入电压 vin 低一些电压就可以打开高边的 pmos 了。
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