GaN HEMT工艺全流程
gan hemt（高电子迁移率晶体管：high electron mobility transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
gan hemt的工艺流程
1. gan外延层形成
2. n+离子注入
3. isolate离子注入
4. algan recess or 选择刻蚀
为了形成gate的recess构造，需要非常浅的加工。极低速率、选择加工、无损伤非常重要。
5. sin gate 绝缘膜形成
6. sin gate 绝缘膜加工
要求低损伤刻蚀。
7. gate电极形成&lift off
gate电极的形成使用蒸镀的
lift off工艺。
8. s/d电极形成＆加工
ti/al以溅射成膜、通过刻蚀加工
形成电极。
9. 支持基板贴合&研磨
10. 背面via刻蚀
为了连接电极，需要对背面的
si/sic进行via加工。
11. 种子金属层成膜
在电镀之前，通过溅射形成种子层。
12. 电镀
第一篇
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