ASML第二代EUV光刻机跳票三年，售价恐贵出天际
第二代euv光刻机原本预计最快可以2023年问世，但最新传闻称nxe:5000系列跳票，而且一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能问世了。
要知道，asml是全球唯一一家量产euv光刻机的。台积电、三星、intel的7nm、5nm，以及未来的3nm、2nm都要依赖euv光刻机，单台售价超过1亿美元，成本极高。
目前，asml的euv光刻机使用的还是第一代，euv光源波长在13.5nm左右，物镜的na数值孔径是0.33，发展了一系列型号。
其中，最早量产出厂的是nxe:3400b，其产能有限，一小时生产晶圆是125pwh；目前的出货主力是nxe:3400c，产能提升到了135wph；今年年底还有nxe:3600d系列出货，产能再进一步提升到160wph，不过价格也会上涨到1.45亿美元。
现在第一代的euv光刻机na指标太低，第二代euv光刻机会是nxe:5000系列，其物镜的na将提升到0.55，进一步提高光刻精度，半导体工艺突破1nm工艺就要靠下一代光刻机了。
然而，na 0.55的二代euv光刻机没那么容易，现在一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能问世，这对芯片产业的发展速度无疑是个打击。
不仅时间延期，二代euv光刻机的价格也会大涨，预计将会达到3亿美元，是现有euv光刻机的2-3倍。这意味着，未来的芯片工艺成本极其昂贵，哪怕真能做到1nm工艺，那高昂的成本也会让大多数公司退而却步。
如果照此发展下去，估计1nm工艺的大客户就剩下苹果自己了。
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