进入21世纪,集成电路市场化程度很高,更多元器件出现在我们生活中的每一个领域,大到航空航天,军工汽车等领域,小到生活中各种消费品如手机,电脑,手表,电视等领域,都少不了各种元器件的应用,元器件和我们的生活有着密切的联系。
与此同时元器件还会带来一些危险,市场上炸机事件时有发生,汽车故障,电路板着火等多数都和器件质量有关,所以,预先筛选优质可靠的器件成为各大厂家的当务之急。
高温反向偏压试验 定义
高温反向偏压试验(high temperaturereverse bias),简称htrb,是分立器件可靠性最重要的一个试验项目,也就是高温时连续供给某一规格反向电压并长期运行时要求被测样品反向漏电流能够稳定于范围值,模拟器件在长期运行条件下的耐受能力从而推断器件在实际使用时的寿命及应力大小。
在器件量产或使用前按照实际应用场景模拟实验,提前摸清器件应力情况,可避免因应力、环境导致的失效及影响。
高温反向偏压试验 实验
1、实验目的:
暴露与时间和应力有关的器件缺陷,测量目前器件是否符合规定标准要求并检查封装或者晶圆自身存在质量问题。
2、测试相关标准:
可覆盖车规、工规及aec-q101、aec-q102、aqg324、jedec、 jesd 22-a108、jedec、 jesd 22-a101、mil-std-750、gjb 128等相关标准要求。
3、适应器件种类:
它可以涵盖多种半导体分立器件(二极管,三极管,mosfet管(增强型,耗尽型),达林顿管,可控硅和igbt)的高温反偏试验,并适用于多种封装。
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