芯片级LNA设计之基本共源极电路解析
前几天，受了一下刺激。
从队友那得知，去年研发的产品，好不容易推上量产了，也找到一个大客户，卖了几个月后，被竞争对手吃掉了好多份额。而竞争对手采用的是芯片方案。
一方面呢，也是产品研发的晚了，不是打头阵的，所以红利就没剩下多少了；另一方面呢，还是因为产品研发晚了，其他厂家的同类型的产品已经吃过红利了，打通了市场，所以就有芯片厂商介入了。
在那些量大的低端的市场，感觉都是，先是用分立器件搭上，然后先去市场上试水，一旦量起来了，芯片厂商就介入了，然后分立器件就没得玩了。
理由很简单，芯片只要量一起来，简直就是白菜价，性能还比分立的稳定，看上去还美观，换我也选芯片方案。
因此，芯片还是要看起来。
so，又把razavi的射频微电子给打开了。
没想到时隔两个多月，再看以前看的内容，竟然发现还能看懂，没有完全忘记，真是太惊讶了，同时也很开心！
razavi的chapter 5中，大概是按照这样的思路讲的。
刚开始，讲了lna的一些性能指标，这和板级的差不多，只不过芯片级的lna设计，其输出可能不是50ohm阻抗。
接着对常规的共源(cs)级电路，如下图，进行分析，发现输入电阻太大，与lna要求的50ohm输入阻抗相差太大，所以需要改进。
基本共源极电路，除了输入阻抗失配外，输出端因为rc时间常数的影响，可能还会限制其工作频率，然后其增益还受工艺电压的影响。
那怎么改进呢，试试直接在输入端并联一个电阻呗，如下图所示。但是发现，50ohm的匹配阻抗是满足了，但是噪声系数>3db，也不行。
接着又举了个例子，那如果把rp增大呢，然后中间加一个lc匹配电路，把rp匹配到rs，如下图所示。这样噪声系数会不会减小呢？结果算下来发现，噪声系数还是不会小于3db。所以还要继续改进。
接着考虑电感负载的共源极电路，如下图所示，这个电路，通过选择合适的值，可以获得良好的阻抗匹配，但是因为反馈电容，会增加其他频率处的负阻，导致不稳定。
虽然可以通过电感来中和cf的影响，如下图所示，但是因为cf相对来说很小，所以电感就要求很大，从而在输入和输出端引入寄生电容，从而恶化性能。因此，这种拓扑结构，很少在现代rf设计中采用。
接着又介绍了另外一种架构，仍然基于共源极电路，如下图所示，输入阻抗匹配ok，但是噪声系数还是超过3db。
也就是说，上面的架构，都不太好，噪声系数偏大。
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接着又举了个例子，那如果把rp增大呢，然后中间加一个lc匹配电路，把rp匹配到rs，如下图所示。这样噪声系数会不会减小呢？结果算下来发现，噪声系数还是不会小于3db。所以还要继续改进。
接着考虑电感负载的共源极电路，如下图所示，这个电路，通过选择合适的值，可以获得良好的阻抗匹配，但是因为反馈电容，会增加其他频率处的负阻，导致不稳定。
虽然可以通过电感来中和cf的影响，如下图所示，但是因为cf相对来说很小，所以电感就要求很大，从而在输入和输出端引入寄生电容，从而恶化性能。因此，这种拓扑结构，很少在现代rf设计中采用。
接着又介绍了另外一种架构，仍然基于共源极电路，如下图所示，输入阻抗匹配ok，但是噪声系数还是超过3db。
也就是说，上面的架构，都不太好，噪声系数偏大。
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