D3 Semiconductor 宣布与贸泽电子签署全球分销协议
d3 semiconductor 通过改变功率器件的基因奠定了进入功率电子行业的标志。其产品开发路线将混合信号功能与高压开关器件组合在一起，提供最高产品可靠性以及使解决方案迅速适合各类应用的能力。
汇聚旗下半导体公司与顶级专家的企业 d3 semiconductor宣布贸泽电子 (mouser electronics) 现已成为其全球分销合作伙伴。根据协议，贸泽电子目前储备 d3 semiconductor 的完整 650 伏额定电压超结金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet) +fet™ 产品线，该产品线在硬开关应用 (例如在通讯、企业计算、不间断电源 (ups)和太阳能中使用的功率因数校正 (pfc) 升压和逆变器) 方面具有同类最佳性能。
d3 semiconductor 通过改变功率器件的基因奠定了进入功率电子行业的标志。其产品开发路线将混合信号功能与高压开关器件组合在一起，提供最高产品可靠性以及使解决方案迅速适合各类应用的能力。除支持美洲和欧洲的电源市场外，d3 semiconductor 还通过其附属公司 d3 asia 进入亚洲市场。
d3 asia 总裁兼总经理 wally klass 指出：“我们对这家声誉卓越的世界级分销商储备我们新推出的 +fet™ mosfet 产品感到非常高兴。贸泽电子的客户服务方法与我们一样，是以最快速和最灵活的交付方法提供最优质的产品。” d3 semiconductor 全球销售与营销副总裁 scott carson 也表示：“贸泽电子的全球占有率和注重对设计工程工作的支持，与 d3 semiconductor 的市场进入战略十分吻合。”
贸泽电子目前提供的 d3 semiconductor首批 +fet 650 伏超结功率 mosfet产品具有最高性能水平和可靠性。d3 semiconductor 产品组合中的每一个 +fet 超结功率 mosfet均以 650 伏节点为目标，有助于改进传统上由绝缘栅双极晶体管 (igbt) (例如逆变器和电机驱动器) 服务的应用功率密度。
贸泽电子供应商管理与产品副总裁 kristin schuetter 指出：“d3 semiconductor 的 +fet™ 超结技术在融合超级架构功率和效率与混合信号精度方面具有独特性。我们在各类要求高度可靠性电源市场中的客户将从 d3 semiconductor的高性能可扩展解决方案中受益。”
+fet™ mosfet 具有超低导通电阻 (rds-on)，从 32 毫欧到 1000 毫欧不等，可获得低频应用中的改进性能，并帮助器件获得在短期内进行选通电极充电快速转换的快速切换能力。该系列中的每一个器件均在生产过程中按照本行业的最高雪崩电流水平接受 100% 雪崩测试，以确保可为最苛刻的应用提供最佳解决方案。此系列器件还符合静电放电 (esd) 性能的 jesd 22 标准，且已接受超过 3,000 小时的高温反向偏压 (htrb) 测试。
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d3 semiconductor 通过改变功率器件的基因奠定了进入功率电子行业的标志。其产品开发路线将混合信号功能与高压开关器件组合在一起，提供最高产品可靠性以及使解决方案迅速适合各类应用的能力。除支持美洲和欧洲的电源市场外，d3 semiconductor 还通过其附属公司 d3 asia 进入亚洲市场。
d3 asia 总裁兼总经理 wally klass 指出：“我们对这家声誉卓越的世界级分销商储备我们新推出的 +fet™ mosfet 产品感到非常高兴。贸泽电子的客户服务方法与我们一样，是以最快速和最灵活的交付方法提供最优质的产品。” d3 semiconductor 全球销售与营销副总裁 scott carson 也表示：“贸泽电子的全球占有率和注重对设计工程工作的支持，与 d3 semiconductor 的市场进入战略十分吻合。”
贸泽电子目前提供的 d3 semiconductor首批 +fet 650 伏超结功率 mosfet产品具有最高性能水平和可靠性。d3 semiconductor 产品组合中的每一个 +fet 超结功率 mosfet均以 650 伏节点为目标，有助于改进传统上由绝缘栅双极晶体管 (igbt) (例如逆变器和电机驱动器) 服务的应用功率密度。
贸泽电子供应商管理与产品副总裁 kristin schuetter 指出：“d3 semiconductor 的 +fet™ 超结技术在融合超级架构功率和效率与混合信号精度方面具有独特性。我们在各类要求高度可靠性电源市场中的客户将从 d3 semiconductor的高性能可扩展解决方案中受益。”
+fet™ mosfet 具有超低导通电阻 (rds-on)，从 32 毫欧到 1000 毫欧不等，可获得低频应用中的改进性能，并帮助器件获得在短期内进行选通电极充电快速转换的快速切换能力。该系列中的每一个器件均在生产过程中按照本行业的最高雪崩电流水平接受 100% 雪崩测试，以确保可为最苛刻的应用提供最佳解决方案。此系列器件还符合静电放电 (esd) 性能的 jesd 22 标准，且已接受超过 3,000 小时的高温反向偏压 (htrb) 测试。
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