Type-C端口保护方案指南——就是更安全
type-c端口保护方案指南——就是更安全
由智能手机等消费电子推动，具有更快充电速度、更快数据传输速率、更稳定耐用的type-c接口迅速走红，很多新发布的手机、笔记本电脑以及平板都采用了此接口。那么 type-c是什么？为何能成为如今最主流的接口？
type-c是指usb type-c，由usb-if组织发布的接口标准，type-c是接口物理形式的版本号，相对于type-a，type-b而言的升级版，既可以担当host，又可以担当slaver。
type-c目前被广泛使用，主要是由于其显著的优势：
#1支持正反插
type-c最直观的优势就是让人摆脱插线的烦恼，且不会出现错插之后导致的部件受损情况。
图1 type-c接口引脚示意图
#2更快的充电和数据传输
配置usb 3.1版本的type-c，理论数据传输速度可达10gbps，比usb 3.0高出1倍。在充电方面，usb-if近期宣布修订usb pd协议3.1规范，将usb type-c最大功率从100w（20v/5a）提升至240w（48v/ 5a）。
#3极为丰富的功能扩展性
sbu1，sbu2，cc1，cc2是传统的usb接口所没有的信号，通过接入信号电平检测可实现多种功能之间的切换，如耳机附件插入后，接口进入模拟音频耳机附件模式，sbu1和sbu2作为麦克风信号传输通道，d+d-作为左右声道信号传输通道，手机上的3.5mm耳机接口已逐步被typc-c接口取代。
type-c具有很多优势，但也有不足，由于type-c内金手指间距较小，当有异物、液体进入到金手指间会发生短路，其中风险最大的是与vbus最近的cc和sub，其次是d+和d-。本文重点介绍d+d-端口的esd&eos保护方案。
针对三种应用场景推荐的防护方案如下：
1、低电压充电方案（充电电压5v）
要求esd&eos器件正向直流耐压大于6v，通过surge(8/20μs) ±25v测试，推荐使用ws05ducfm；当要求通过surge ±35v测试，推荐使用ws05ducmfh；
2、高压充电方案（充电电压>5v）
要求esd&eos器件正向直流耐压大于15v，通过surge ±35v测试，推荐使用ws15ducmf；
表1 wayon产品参数
3、高压充电方案(充电电压>5v)
且集成音频功能
要求esd&eos器件正向直流耐压大于15v，正向surge 35v测试；负向直流耐压大于3v，负向surge -35v测试的应用场景，wayon高集成度的全新产品ws7116eqf采用了双向电压不对称的设计，能够为d+d-端口提供高直流耐压和足够的浪涌防护能力，又可以为负向提供低的触发电压和低钳位电压，达到近乎理想的保护效果。
ws7116eqf还具有±30kv的静电保护能力，0.3ω的超低导通阻抗和0.7pf的超低电容。在传统封装方案的基础上进行了技术革新，封装外形仍为dfn1006-2l，极大的节省电路板空间 。
维安为客户提供高性能、高可靠性、满足不同应用要求的esd&eos防护器件，除了d+d-的产品应用以外，在vbus，cc等type-c接口其它功能pin均有对应的产品解决方案。
图2 ws7116eqf在type-c接口的应用示意图
维安选型手册已显示许多可能的应用，如需了解更详细的产品数据，可访问网站产品中心，查看保护元器件参数表，确定元器件的尺寸时，选择工作电压范围，选择通道数量，筛选功能，缩小可行选项的范围。
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#1支持正反插
type-c最直观的优势就是让人摆脱插线的烦恼，且不会出现错插之后导致的部件受损情况。
图1 type-c接口引脚示意图
#2更快的充电和数据传输
配置usb 3.1版本的type-c，理论数据传输速度可达10gbps，比usb 3.0高出1倍。在充电方面，usb-if近期宣布修订usb pd协议3.1规范，将usb type-c最大功率从100w（20v/5a）提升至240w（48v/ 5a）。
#3极为丰富的功能扩展性
sbu1，sbu2，cc1，cc2是传统的usb接口所没有的信号，通过接入信号电平检测可实现多种功能之间的切换，如耳机附件插入后，接口进入模拟音频耳机附件模式，sbu1和sbu2作为麦克风信号传输通道，d+d-作为左右声道信号传输通道，手机上的3.5mm耳机接口已逐步被typc-c接口取代。
type-c具有很多优势，但也有不足，由于type-c内金手指间距较小，当有异物、液体进入到金手指间会发生短路，其中风险最大的是与vbus最近的cc和sub，其次是d+和d-。本文重点介绍d+d-端口的esd&eos保护方案。
针对三种应用场景推荐的防护方案如下：
1、低电压充电方案（充电电压5v）
要求esd&eos器件正向直流耐压大于6v，通过surge(8/20μs) ±25v测试，推荐使用ws05ducfm；当要求通过surge ±35v测试，推荐使用ws05ducmfh；
2、高压充电方案（充电电压>5v）
要求esd&eos器件正向直流耐压大于15v，通过surge ±35v测试，推荐使用ws15ducmf；
表1 wayon产品参数
3、高压充电方案(充电电压>5v)
且集成音频功能
要求esd&eos器件正向直流耐压大于15v，正向surge 35v测试；负向直流耐压大于3v，负向surge -35v测试的应用场景，wayon高集成度的全新产品ws7116eqf采用了双向电压不对称的设计，能够为d+d-端口提供高直流耐压和足够的浪涌防护能力，又可以为负向提供低的触发电压和低钳位电压，达到近乎理想的保护效果。
ws7116eqf还具有±30kv的静电保护能力，0.3ω的超低导通阻抗和0.7pf的超低电容。在传统封装方案的基础上进行了技术革新，封装外形仍为dfn1006-2l，极大的节省电路板空间 。
维安为客户提供高性能、高可靠性、满足不同应用要求的esd&eos防护器件，除了d+d-的产品应用以外，在vbus，cc等type-c接口其它功能pin均有对应的产品解决方案。
图2 ws7116eqf在type-c接口的应用示意图
维安选型手册已显示许多可能的应用，如需了解更详细的产品数据，可访问网站产品中心，查看保护元器件参数表，确定元器件的尺寸时，选择工作电压范围，选择通道数量，筛选功能，缩小可行选项的范围。
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