东微半导体超级硅MOSFET系列产品，可取代了氮化镓高能效要求
东微半导体的greenmos系列产品是国内最早量产并进入工业级应用的高压超级结产品系列，在国产品牌中占有领先地位，广泛应用于充电桩模块，通讯电源等大功率应用领域。
为了满足高密度快充的需求，东微半导体于近期推出了全新的超级硅mosfet（super-silicon）系列产品，该系列采用成熟的硅基材料及工艺，可以确保在雷击、高温等极限工况下的长期可靠性以及稳定性。
同时，超级硅系列将greenmos的开关性能推向极致，可达到1mhz以上的开关频率，完全可以替代氮化镓器件在高压侧的应用。
图1、greenmos系列与超级结mos开关速度对比
在系统应用中的效率方面，以65w pd为例，超级硅系列在软开关有源钳位（acf）拓扑中体现出优异的效率：
图2、acf拓扑
该方案中用到的oss65r340jf， 属于超级硅系列，其效率基本与选用了氮化镓（gan）的方案一致，完全可以满足高能效要求。尤其在更高频率400khz条件下效率依然与gan保持一致，体现了此系列产品极低的驱动损耗和开关损耗的特性，以下为效率对比图：
图3、超级硅与gan效率对比
在功率密度方面，同样用65w的pd为例，基于东微超级硅系列的mos做的demo方案， 最大功率密度可达1.38w/cm？，直接对标氮化镓方案：
图4、超级硅与gan体积对比
在产品成本方面，由于超级硅系列采用成熟的硅基材料，与gan特殊的材料和生产工艺相比具有巨大的成本优势。尤其在消费领域，如：手机通讯类、电子产品适配器的应用，器件成本大概为同等规格gan器件25-50%，同时驱动超级硅功率器件的控制芯片可选择性广泛，更避免了gan驱动复杂的设计导致额外系统成本的增加。
图5、超级硅与gan特性对比
超级硅系列已有量产规格包含耐压600、650和700v三档，最低rdson为80mr，静态电流30a，对应功率段50-600w。
图6、超级硅系列产品推荐规格
东微半导体还有全系列中低压高速器件，适用于不同快充方案的同步整流输出。
图7、同步整流mosfet推荐规格
综上所述，在对成本、功率密度要求与日俱增的今天，超级硅系列可完美满足要求。目前，超级硅系列已在联想等多个主流客户端量产。
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