Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研发
globalfoundries技术长gary patton透露，其22fdx全空乏绝缘上覆矽（fd-soi）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
晶圆代工业者globalfoundries技术长gary patton透露，其22fdx全空乏绝缘上覆矽（fully-depleted silicon-on-insulator，fd-soi）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22fdx平台四种制程，能提供媲美finfet技术的性能与省电效益，而成本则是与平面28纳米cmos制程相当；其制程的反偏压（back-biasing）特性，能供从性能动态改变电晶体运作的机会，将泄漏电流最小化。
不过目前先进ic制程仍以finfet技术为主流，该制程获ip供应商以及各大晶圆代工业者拥护，包括globalfoundries自己；而三星（samsung）的晶圆代工厂也有提供28纳米fd-soi制程。
patton在ibm担任研究人员多年，是在globalfoundries收购ibm的半导体业务之后加入该公司；他在参加近日于布鲁塞尔举行的年度imec科技论坛时，于场边接受ee times欧洲版编辑访问表示：“我们认为finfet与fd-soi都很适合行动应用领域。”
根据patton指出，其制程技术研发始于美国纽约州的malta晶圆厂，并已经转移至德国的dresden生产线；其良率达成已经比预计时间表提前，目前的焦点集中在建立设计ip库。
globalfoundries正在与一家名为invecas的ip供应商合作，为14纳米finfet制程与22纳米fd-soi制程开发基础ip；而globalfoundries准备在2016年底为客户进行22fdx制程试产，量产时程则预计在2017年。
patton认为，finfet制程的高驱动电流特性非常适合在大型晶片驱动讯号线，因为这类晶片需求持续性能；不过对于较小型晶片以及对功耗较敏感的晶片，fd-soi就是更好的选择。patton也指出，finfet有一种量化驱动机制（quantized drive regime），开发工程师必须选择1个、2个甚至更多的鳍（fin），但这并不适合类比或射频（rf）讯号。
虽然globalfoundries力捧22fdx制程在物联网（iot）应用类比与rf元件生产上的优势，patton指出该制程也能因应数位ic需求：“有许多行动应用数位晶片都是采用65纳米与40纳米制程，比起将之转移至其他平面制程，例如fd-soi，改用finfet制程的成本很高。”
不过globalfoundries 的fd-soi制程──起源是ibm的研究案，后来由意法半导体（stmicroelectronics）以及现在的globalfoundries与三星所拥护──有个艰苦的孕育期，在一开始与意法半导体签署技术授权协议后，又过了四年才于dresden晶圆厂量产。
随着fd-soi的潜在设计案有可能别抱16纳米或是10纳米finfet制程，缺乏技术蓝图有可能会成为fd-soi的劣势之一；当代ic设计牵涉大量的专有ip或是来自第三方合作供应商的ip，因此制程的延续性成为受关注的重点。
对此patton表示：“我们下一代的全空乏制程已经在malta进行开发，”但他并未确认是哪个制程节点；究竟目前最小的制程节点是多少仍有争议，例如台积电（tsmc）将推出的10纳米与7纳米制程，元件特征尺寸（feature sizes）分别是20纳米与14纳米，而以32纳米或36纳米的间距（pitch）进行生产。
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晶圆代工业者globalfoundries技术长gary patton透露，其22fdx全空乏绝缘上覆矽（fully-depleted silicon-on-insulator，fd-soi）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22fdx平台四种制程，能提供媲美finfet技术的性能与省电效益，而成本则是与平面28纳米cmos制程相当；其制程的反偏压（back-biasing）特性，能供从性能动态改变电晶体运作的机会，将泄漏电流最小化。
不过目前先进ic制程仍以finfet技术为主流，该制程获ip供应商以及各大晶圆代工业者拥护，包括globalfoundries自己；而三星（samsung）的晶圆代工厂也有提供28纳米fd-soi制程。
patton在ibm担任研究人员多年，是在globalfoundries收购ibm的半导体业务之后加入该公司；他在参加近日于布鲁塞尔举行的年度imec科技论坛时，于场边接受ee times欧洲版编辑访问表示：“我们认为finfet与fd-soi都很适合行动应用领域。”
根据patton指出，其制程技术研发始于美国纽约州的malta晶圆厂，并已经转移至德国的dresden生产线；其良率达成已经比预计时间表提前，目前的焦点集中在建立设计ip库。
globalfoundries正在与一家名为invecas的ip供应商合作，为14纳米finfet制程与22纳米fd-soi制程开发基础ip；而globalfoundries准备在2016年底为客户进行22fdx制程试产，量产时程则预计在2017年。
patton认为，finfet制程的高驱动电流特性非常适合在大型晶片驱动讯号线，因为这类晶片需求持续性能；不过对于较小型晶片以及对功耗较敏感的晶片，fd-soi就是更好的选择。patton也指出，finfet有一种量化驱动机制（quantized drive regime），开发工程师必须选择1个、2个甚至更多的鳍（fin），但这并不适合类比或射频（rf）讯号。
虽然globalfoundries力捧22fdx制程在物联网（iot）应用类比与rf元件生产上的优势，patton指出该制程也能因应数位ic需求：“有许多行动应用数位晶片都是采用65纳米与40纳米制程，比起将之转移至其他平面制程，例如fd-soi，改用finfet制程的成本很高。”
不过globalfoundries 的fd-soi制程──起源是ibm的研究案，后来由意法半导体（stmicroelectronics）以及现在的globalfoundries与三星所拥护──有个艰苦的孕育期，在一开始与意法半导体签署技术授权协议后，又过了四年才于dresden晶圆厂量产。
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对此patton表示：“我们下一代的全空乏制程已经在malta进行开发，”但他并未确认是哪个制程节点；究竟目前最小的制程节点是多少仍有争议，例如台积电（tsmc）将推出的10纳米与7纳米制程，元件特征尺寸（feature sizes）分别是20纳米与14纳米，而以32纳米或36纳米的间距（pitch）进行生产。
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