晶体变换器的印刷电路基板的制作

图26所示的为晶体变换器的印刷电路基板。由于为vhf频带,可以使用纸树脂基板。对于高频率放大电路与频率变换电路的输入出端,利用接地铜箔隔离,以达到隔离效果。 虽然输入频率fs与所需要的输出频率人fif的频率为不同,但是,也不要将输入与输出太接近。
图26晶体变换器的印刷电路基板
▲局部振荡频率的调整 首先,对于局部振荡电路的晶体振荡电路与频率倍频(×2)做调整。此为如图27(a)所示,将频率计频器连接在t6的tp端子,调整t5与t6的铁芯,使频率成为68mhz(x1=11.333mhz)或72mhz(x2=12.000mhz)。由于铁芯的位置不同,而可能成为2倍或3倍,必须注意调整。
(取出正确的2倍频输出)
接着,将计频器从tp端子取下,连接高频棒测试棒(第8章介绍的制作品),再调整t5与t6,使输出成为最大。 对于局部振荡电路的调整,也可以如图(b)所示,使用dip-meter(在第3章制作)。使用夹线(clip)等作成1~2圈数的线圈,从tp端子取出fosc将dip-meter的转盘指示在68mhz或74mhz附近,调整t5与t6的铁芯,使dip-meter的指示计摆振至最大。 调整ct,使输往频率变换电路3sk73的g2的注入电压约为0.5~1v。 ▲高频率变换电路与频率变换电路的调整 在与主接收机连接的接收状态下,如图28所示,连接信号产生器ssg。 然后,设定ssg频率为122mhz,调整t1的铁芯,使谐振点为122mhz(晶体频率x2时,主接收机的频率为50mhz)。再将ssg的频率设定为124mhz(主接收机的频率为52mhz),调整t4铁芯,使谐振点成为52mhz。 使用同样方法,使t2谐振频率为120mhz,t3为124mhz。以上的调整为做2~3次反复调整。
(一面观察主接收机的s电表,一面调整铁芯,使s电表指示摆振为最大。)
所制作的晶体变换器的特性 ▲vg2s与电功率放大率的测试 图29所示的是vg2s从0~4v变化时的电功率放大率变化与高频率放大电路的fet漏极电流变化的情况。此处的电功率放大率是包含至频率变换电路为止的数据。 vg2s=0v时的电功率放大率为32db,vg2s=4v时为43db,放大率的调整量为11db。漏极电流的最大值为18ma,漏极损失pd=18×6=108mw,没有超过最大损失值。
图29 fet的vg2s改变时的gp,id特性(随着vg2s的电压变化,电功率放大率变化为30~44db。主接收机的感度低,也可以使用。)
▲接收频带范围的测试 图30所示的为频率从116m~130mhz为止变化时的电功率放大率。在中心频率的122mhz与边源的130mhz,感度差为11db。可是,在实际接收air band时,也不太感觉出其边端的差异。
图30晶体变换器的接收频率与电功率放大率(由于频带宽为14mhz,因此,在频带内的电功率放大率差为11db。使用上没有什么问题。)

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