有机场效应晶体管研究取得重要进展

近日,晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授领导的课题组在有机场效应晶体管(organic field effect transistors,ofet)研究方面取得重要进展。相关成果以“three-dimensional charge transport in organic semiconductor single crystals”为题发表在近期出版的《先进材料》(advanced materials)杂志上(影响因子10.58)。
有机场效应晶体管(organic field effect transistors,ofet)是有机电路的基本构筑单元,具有重量轻、成本低、可弯曲和适于大面积制备等优点,在有机传感器、有机存储设备、柔性平板显示、电子纸、射频识别等众多领域具有重要的应用前景。提高有机场效应晶体管的迁移率,探明有机半导体载流子的传输机理,是有机场效应晶体管研究的重要课题。
本工作的意义在于以联苯乙烯基萘作为有源层,从晶体结构出发,通过改变联苯乙烯骨架上的取代基,有效改善了分子的堆积方式(无序结构-鱼骨型堆积)和薄膜的结晶性(无定型-层状连续),极大地提高了场效应器件的性能。更重要的是,首次制备了三维有机场效应晶体管,系统研究了有机半导体单晶载流子传输的三维各向异性,器件的迁移率达到2.49 cm/vs。

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