ESD二极管原理与放电信号测试
esd二极管原理：
将esd静电保护二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（ 高阻态 ），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其 击穿 电压时，它迅速由高阻态变为 低阻态 ，给瞬间电流提供低 阻抗 导通路径，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护ic或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。
esd测试时的放电信号特征为：
加入esd二极管后的测试图以及测试效果如下图所示：
test sample（二极管）并联于电路
可以看到，过压峰值在50ns内有明显下降。
这个举例器件的技术参数如下：
cvr1005rs18001t-1
特征：
1.lead free type.
2.compact size for
3.insulator over coat keeps excellent low and stableleakage current.
4.quick response time(<1ns).
5.low clamping voltage.
6.meet iec 61000-4-2 standard.--contact discharge mode:typical ±15kv--air discharge mode:typical ±20kv
应用于pcb板级，电脑手机。application for mother board,notebook, cellularphone,pda,handheld device,dsc,dv,scanner,andset-top box etc.
技术规格：
关于选型：
esd静电二极管选型指南
1）esd静电二极管的截止电压要大于电路中最高工作电压；
2）脉冲峰值电流ipp 和最大箝位电压vc 的选择，要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择合适ipp的型号，需要注意的是，此时的vc 应小于被保护晶片所能耐受的最大峰值电压；
3）用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率，当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容系列的esd静电二极管；
4）根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装。esd封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件可容纳的esd芯片面积也越大，防护等级也越高，反之亦然。
esd静电二极管参数详解
• vrwm：反向截止电压、通俗地讲，就是esd允许施加的最大工作电压，在该电压下esd处于截止状态，此时esd的漏电流很小，为几微安甚至更低。
• vbr：击穿电压，击穿电压是esd要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1ma的 电流下测量。
• ir：反向漏电流，即在esd器件两端施加vrwm电压下测得esd的漏电流。
• ipp：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。
• vc：钳位电压，在给定大小的ipp下测得esd两端的电压。大部分esd产品vc与vbr及ipp成正比关系。
• c j：结电容，esd的结电容与esd的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压esd产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的esd，工作电压越高结电容就越低。
esd静电二极管选型事项
1）esd一般用于各类通信端口静电防护，在一些高速数据线路，比如usb3.0、hdmi、ieee1394等接口，esd静电保护二极管的结电容应尽量选择小的，以避免影响通信质量；
2）esd有单向（a）和双向（c）之分，根据工作的信号进行选择，单极性的信号可以选择单向的 esd或双向的esd， 双极性的信号要选择双向的esd；
3）具体选择什么型号的esd静电二极管做静电防护，还需要在专业的电子工程师指导下选择。
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可以看到，过压峰值在50ns内有明显下降。
这个举例器件的技术参数如下：
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1.lead free type.
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1）esd静电二极管的截止电压要大于电路中最高工作电压；
2）脉冲峰值电流ipp 和最大箝位电压vc 的选择，要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择合适ipp的型号，需要注意的是，此时的vc 应小于被保护晶片所能耐受的最大峰值电压；
3）用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率，当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容系列的esd静电二极管；
4）根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装。esd封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件可容纳的esd芯片面积也越大，防护等级也越高，反之亦然。
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• vrwm：反向截止电压、通俗地讲，就是esd允许施加的最大工作电压，在该电压下esd处于截止状态，此时esd的漏电流很小，为几微安甚至更低。
• vbr：击穿电压，击穿电压是esd要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1ma的 电流下测量。
• ir：反向漏电流，即在esd器件两端施加vrwm电压下测得esd的漏电流。
• ipp：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。
• vc：钳位电压，在给定大小的ipp下测得esd两端的电压。大部分esd产品vc与vbr及ipp成正比关系。
• c j：结电容，esd的结电容与esd的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压esd产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的esd，工作电压越高结电容就越低。
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2）esd有单向（a）和双向（c）之分，根据工作的信号进行选择，单极性的信号可以选择单向的 esd或双向的esd， 双极性的信号要选择双向的esd；
3）具体选择什么型号的esd静电二极管做静电防护，还需要在专业的电子工程师指导下选择。
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