在如今的智能手机发布会上,如果不讲到拍摄性能,总会觉得这场发布会不完整。甚至是,如果不将拍摄性能作为主要亮点之一,人们就会为这款手机的市场表现担忧。研究公司cybermedia在2019年的调查问卷中就指出,消费者购买手机时查看的第一项功能是拍摄,毫无疑问,拍摄已经成为智能手机最大卖点,或者最大卖点之一。
对于中高端和旗舰机型而言,后置摄像头搭载5000万像素cmos图像传感器(以下简称:cis)已是主流趋势。但很长一段时间以来,5000万像素高性能cis主要由索尼和三星两家国际大厂垄断。现在局势已然发生改变,格科微等国内厂商在这一领域已经取得实质性突破,形成产品破局。
12月22日,中国领先的cmos图像传感器、ddi显示驱动芯片设计公司格科微发布单芯片5000万像素cis新品——gc50e0和gc50b2,为模组和手机oem高像素摄像头方案提供新选择。
5000万像素大底cis成为主流
cis和isp、镜头一起构成了摄像头的灵魂。从产业进度来看,自2019年开始,手机cis就已经开启了1亿像素时代,现在甚至是有了2亿像素的手机cis。然而,cis的性能不只是由像素数来决定,还包括cis尺寸和单位像素尺寸。经过效果对比,cis厂商和消费者都发现,并不是像素数值越大手机拍摄的效果就越好。大部分场景下,4800万-6400万像素大底cis(指cis芯片尺寸更大)组成的摄像头组合,比围绕1亿像素cis构建的摄像头组合表现更好。
cis成像步骤一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。这里最关键的当然就是光电转换,每个像素在曝光过程中吸收光子转化成电荷,一旦像素容量达到饱和,多余的电荷便会溢出,此时输出信号不再增加。因此,大像素通常可以容纳更多的电子,也就代表cis的动态范围更大,对于成像这是非常关键的。基于大像素实现的大底cis天生具备更多的进光量,且拥有更高的信噪比和更宽的动态范围,在暗光或复杂光线的环境下能够获得更多的细节,在画面清晰度上更胜一筹;另外大底cis在相同的光圈下,能够提供更大的视角,且虚化效果更好。
cis尺寸主要取决于感光阵列和处理电路所占的面积,其中感光阵列的面积等于像素尺寸和像素数量的乘积,厂商则选择用封装对角线长度来区分cis尺寸。当市场和消费者认可大底cis之后,cmos厂商在1200万像素、4800万像素、6400万像素和超高像素1.08亿像素上都尝试了这种方案,最终综合考虑isp硬件、算法、存储容量等因素,选择了5000万像素大底cis。
确定了5000万像素大底cis方案之后,为了在此基础上进一步提升拍摄性能,手机oem厂商相继提出了“多摄融合”和“全主摄”理念,通过5000万像素大底cis配合超广角、人像、长焦等镜头,实现旗舰级的拍摄体验。这样做的好处是,消费者无需费心去调整相机参数,只需选择模式就可以拍摄出高品质的照片和视频。
纵观当前的中高端和旗舰级手机市场,后摄模组基本是多主摄或者全主摄的方案,因此带来了巨量的5000万像素cis需求。根据第三方市场调研机构日本tsr的统计数据,5000万像素cis的出货量预计会从2020年的1600万颗,增长到2026年的10亿颗。
格科微发布单芯片5000万像素cis
从各品牌手机发布会能够看到,无论是之前的超高像素方案,还是后来基于5000万像素大底cis构建的多主摄和全主摄方案,cis主要是由索尼和三星这两家国际大厂提供,两家企业几乎垄断了中高端和旗舰级手机的后置主摄cis订单。不过,在5000万像素cis领域,国产厂商也陆续取得突破,将挑战两家国际厂商,尤其是索尼的霸主地位。
12月22日,格科微在上海临港新工厂成功举办以“fab-lite新模式·引领中国芯未来”为主题的格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式,以及格科微新产品发布会。
在新品发布会上,格科微发布了两颗5000万像素cis,型号分别是gc50e0和gc50b2。其中,gc50e0作为格科微推出的首颗5000万像素cis,也是市场上首颗单芯片5000万像素cis,其像素尺寸为0.7μm,芯片尺寸为1/2.5'';gc50b2则是格科微推出的首颗5000万像素大底cis,像素尺寸为1μm,芯片尺寸为1/1.56'',这也是一颗单芯片产品,并且配备了格科微特有的dag高动态方案,能够满足中高端和旗舰级手机后摄需求。
通过格科微董事长兼首席执行官赵立新的介绍可以发现,格科微gc50e0和gc50b2有两个非常独特的技术优势——单芯片架构和fppi专利技术。赵立新先生表示,堆栈式cis已经有超过10年的发展历史,其间国际厂商一直凭借这项技术占据市场主导地位。不过,由于堆栈式cis是多层结构,会存在数字逻辑区局部发热影响上方感光区性能,另外堆栈式cis结构更为复杂,成本一直居高不下。“格科微注意到了这一市场痛点,从cmos电路和器件工艺方面进行创新,推出了具有自主知识产权的fppi专利技术和单芯片架构,这是工艺方面的创新。”
格科微董事长兼首席执行官赵立新
格科微的单芯片架构天然具有更好的散热效果,消除了下层堆栈的逻辑芯片发热带来的像素热噪声,面积仅增加约 10%,总硅片用量减少40%,显著提高了晶圆面积利用率,大大改善成本结构。fppi专利技术解决了单芯片做小像素图像传感器集成在一起的困难,后续格科微将推出基于单芯片高像素技术平台包括3200万、5000万、1亿等在内的更高规格产品。“通过首款单芯片0.7μm3200万像素产品gc32e1的量产证明,格科微已经突破了这项技术。”赵立新先生提到。
cis 通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、ad转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成。赵立新先生指出,“除了工艺上的创新,格科微的单芯片cis方案,在电路方面也进行了大量的创新。通过改进片内adc电路、数字电路以及接口电路等电路结构,让我们通过非堆栈的方式实现了12bit灰度的cis,在市场上非常有竞争力。”
基于上述创新,格科微的dag hdr技术在5000万像素cis新品中得以延续。对于这项技术可能很多人都已经很熟悉,这是一种单帧高动态技术——基于单帧画面,在暗部使用高模拟增益,亮处使用低模拟增益,从而实现暗部更清晰,亮部不过爆的效果,并减少拍照合帧数,降低多帧合成带来的功耗问题。以拍照为例,在使用dag hdr输出后,需要3帧合成的场景减少了 50%;以录像为例,相较于传统hdr录像功能,功耗降低40%。
通过现场demo方案和主流品牌旗舰手机对比能够看出,基于格科微5000万像素gc50b2实现的demo方案,在画面细节、暗部清晰度、画面质感和避免过曝发白等方面有非常明显的优势。按照赵立新先生的话来说:“格科微cis让手机拍照真正实现‘所见即所得’。”
目前,gc50e0已经通过客户验证;gc50b2也已开始在品牌客户送测。在产品封装上,模组厂和oem厂商可以选择主流的cob 封装技术,也可以选择格科微独创的com封装技术,后者能够有效帮助模组厂和oem降低生产成本、提升生产效率和良率,获得了广泛的市场认可。
另外,格科微还透露了自己的产品规划,预计不远的将来,该公司将会推出一颗1/1.3''的超大底5000万像素cis,冲击更高端的旗舰手机市场。
完成从fabless到fab-lite转型
12月22日,格科微临港工厂正式宣布投产,标志着格科微完成了从fabless到fab-lite的转型。
自2003年成立以来,多年来格科微一直在走fabless的模式,并取得了非常出色的成绩。目前,格科微拥有手机cis,非手机cis和ddi显示驱动三大产品线,产品广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、移动支付、汽车电子等消费电子和工业应用。根据格科微2022年财报,尽管2022年受到地缘政治、全球通胀等国内外多重因素影响,叠加消费电子市场整体低迷,格科微手机cis出货量仍位居全球第一,占市场份额的26%。
格科微临港工厂即该公司“12 英寸cis集成电路特色工艺研发与产业化项目”,首个晶圆工程批便取得超过 95%的良率。该项目投产后,格科微将具备12英寸bsi晶圆后道工序生产能力。随着更多设备安装并投产,产能将同步释放提升,格科微临港工厂最终将实现月产20,000片晶圆的产能。
临港工厂属于格科微自有的fab产线,公司运营模式已经正式转变为fab-lite模式,打通从产品设计、研发到制造、封装、 测试、销售的全环节。在中高端产品方面,fab-lite模式让格科微能够实现更好的内生研发,并进一步放大fppi专利技术和单芯片架构的优势,在高像素产品领域达到行业领先水平。
赵立新先生举了数个例子来表明:格科微的一大优势是能够提前、准确地把握市场动向。转为fab-lite模式之后,新工厂将能够帮助格科微将一些市场动向具化为中高端cis产品,并能够更好地满足客户的差异化需求。
当然,格科微常年以来和诸多晶圆代工厂建立的长期稳定的合作关系,依然会发挥巨大的效益,为公司产品稳定交付护航。
结语:新产品、新模式、新征程
单芯片0.7um5000万像素cis(gc50e0)和1um5000万像素大底cis(gc50b2)的发布,是格科微从中低端手机cis市场向高端手机cis市场迈出的坚定的一步,是格科微单芯片架构和fppi专利技术结出的丰硕果实,也标志着国产手机cis一个全新时代的开始。
临港新工厂的投产将进一步释放格科微领先的技术创新能力,fab-lite模式意味着公司经营模式发生转变,在高端产品和定制化产品方面的响应能力上会更上一层楼。
对于格科微来说,新的征程开始了。各项数据表明,在他们面前,有一片巨大的市场空间。
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