存储设备(主要指存储数据的半导体产品)通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失,如dram。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失,这意味着数据一旦被写入,只要不进行擦除或重写,数据就不会改变。fram是一种与flash相同的非易失性存储器。
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通fram产品已成功应用于智能卡及ic卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医疗rfid标签等医疗领域、胎压监测及新能源汽车电池管理系统等汽车领域等等,涉及的应用超过200种,几乎覆盖所有主要领域!
当前的富士通fram主要具备三大优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如fram写入次数寿命高达10万亿次,而eeprom仅有百万次(10^6)。富士通fram写入数据可在150ns内完成,速度约为eeprom的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nj,约为eeprom的1/400,在电池供电应用中具有巨大的优势。
相比eeprom或sram
fram方案可以轻松解决以下问题:
1)需要更频繁地记录数据,但受限于内存规格
2)在写入数据时需要保护数据,以防止突然停电
3)需要采用无电池解决方案
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