多家企业宣布点亮Micro LED相关产品
2023年，micro led市场进入一个关键的发展时期。
尽管面临诸多挑战，micro led市场前景仍被看好。随着技术突破和成本下降，预计在未来几年内micro led将在更多的应用领域实现商业化的飞跃。
据高工led观察，今年以来，多家企业宣布点亮micro led相关产品，包括国星光电、辰显光电、数字光芯等。另外，天马微电子micro-led产线也预计明年正式点亮。
01国星光电点亮micro led全彩显示屏nstarⅲ
近日，国星光电micro led超高清显示研发项目成功点亮nstarⅲ。这是一款采用ltps-tft玻璃基驱动背板的1.84英寸micro led全彩显示屏，该屏采用全倒装无衬底led像素发光单元，可实现屏幕峰值亮度＞1500nits，像素间距为0.078mm，分辨率360*480，有望应用于micro led手表等智能穿戴产品。
据国星光电介绍，nstarⅲ采用国星光电自主研发的巨量转移技术和micro led玻璃基封装专利技术，不仅实现＞50多万颗micro led芯片高密度集成，r/g/b三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%，还使得外形厚度更薄，平整度更高，可兼顾散热与显示一致性。
从2020年6月nstarⅰ问世，到2022年9月推出nstarⅱ，再到本次迎来nstarⅲ，国星光电micro led全彩显示屏产品迭代升级正在稳步推进当中。
伴随着nstar系列产品更新换代，技术上不断向小间距、小尺寸等方面升级，性能持续提升，国星光电后续产品的开发将不断拓宽应用领域。
在micro led领域，国星光电近年来大力布局自主研发，自2018年成立miniµ led研究中心后，2020年又成立了广东省半导体微显示重点实验室，目前，公司在mini/micro led领域已申请发明专利100余件。
02辰显光电多个micro led相关产品成功点亮
6月16日，辰显光电宣布成功点亮中国大陆首款tft基无边框14.5英寸micro led拼接箱体。据介绍，该箱体由8块屏体拼接而成，拼缝小于100微米、像素pitch 0.5毫米；具备四边无边框特性，可自由拼接达成客户定制化需求，适用于高端大尺寸拼接显示产品。
8月初，辰显光电在成都高新区成功点亮了国内首款p0.5 tft基无边框29英寸micro led拼接屏。该拼接屏采用了25微米led芯片，由4个14.5英寸micro led箱体拼接组成，像素间距为500微米。
8月21日，辰显光电宣布再次取得技术突破，成功点亮国内首款p0.5 tft基无边框58英寸micro led拼接屏。据介绍，这款micro led拼接屏融合了多项技术，具有高亮度、低功耗、长寿命以及高分辨率等优势；采用25微米led芯片和国内首款micro led专用驱动ic的应用，实现了10 bits色深、240 hz的高刷新率以及500,000:1的超高对比度。
9月30日，辰显光电宣布成功点亮全球首款102英寸p0.5（像素间距0.5mm）tft基micro led拼接屏。据介绍，这款新品采用25微米led芯片，搭载国内首款自主开发micro led专用驱动ic，全球首次达到10 bit色深，同时可以实现240 hz高刷新率以及60微米以内的无缝自由拼接，还具备高亮度、高对比度、高色彩饱和度、长寿命等特性。
03数字光芯成功点亮micro led硅基大灯芯片
10月24日，数字光芯宣布，成功调试并点亮中国首颗micro led硅基驱动汽车像素大灯芯片，像素超过16万个，超越目前micro led大灯主流的25600个及19200个像素，产品分辨率极大提升。
数字光芯表示，芯片在分辨率与亮度上均达到国际领先水平，目前公司已向多家下游合作伙伴提供该款汽车像素大灯芯片晶圆产品。
在今年的9月，数字光芯已完成硅基驱动micro led汽车像素大灯芯片的设计和流片，并由其下游合作伙伴芯元基半导体于10月完成了micro led像素大灯的键合工艺。
04天马微电子：micro-led产线预计明年正式点亮
11月27日，天马微电子micro-led研究院副院长席克瑞在受访时表示，公司的micro-led产线预计明年正式点亮，目前70%-80%的技术都已打通，预计2025、2026年会有小批量量产爬坡。
天马微电子近日在投资者调研活动中介绍，公司正加快推进micro-led领域技术和工艺的开发，目前已在高透明、曲面、窄边框、透明度可调等技术方向取得重大突破，并已和全球头部车企、国内顶尖pid终端厂商、头部消费品牌客户展开创新项目合作。前期，公司已联合众多合作伙伴发起成立了micro-led生态联盟，并合资投建了从巨量转移到显示模组的全制程micro-led产线。
天马微电子还发起成立micro-led生态联盟，一方面可以推动micro-led产业链繁荣发展，另一方面旨在加快micro-led技术实现商业化落地，为自身micro-led业务引入多方助力。
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尽管面临诸多挑战，micro led市场前景仍被看好。随着技术突破和成本下降，预计在未来几年内micro led将在更多的应用领域实现商业化的飞跃。
据高工led观察，今年以来，多家企业宣布点亮micro led相关产品，包括国星光电、辰显光电、数字光芯等。另外，天马微电子micro-led产线也预计明年正式点亮。
01国星光电点亮micro led全彩显示屏nstarⅲ
近日，国星光电micro led超高清显示研发项目成功点亮nstarⅲ。这是一款采用ltps-tft玻璃基驱动背板的1.84英寸micro led全彩显示屏，该屏采用全倒装无衬底led像素发光单元，可实现屏幕峰值亮度＞1500nits，像素间距为0.078mm，分辨率360*480，有望应用于micro led手表等智能穿戴产品。
据国星光电介绍，nstarⅲ采用国星光电自主研发的巨量转移技术和micro led玻璃基封装专利技术，不仅实现＞50多万颗micro led芯片高密度集成，r/g/b三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%，还使得外形厚度更薄，平整度更高，可兼顾散热与显示一致性。
从2020年6月nstarⅰ问世，到2022年9月推出nstarⅱ，再到本次迎来nstarⅲ，国星光电micro led全彩显示屏产品迭代升级正在稳步推进当中。
伴随着nstar系列产品更新换代，技术上不断向小间距、小尺寸等方面升级，性能持续提升，国星光电后续产品的开发将不断拓宽应用领域。
在micro led领域，国星光电近年来大力布局自主研发，自2018年成立miniµ led研究中心后，2020年又成立了广东省半导体微显示重点实验室，目前，公司在mini/micro led领域已申请发明专利100余件。
02辰显光电多个micro led相关产品成功点亮
6月16日，辰显光电宣布成功点亮中国大陆首款tft基无边框14.5英寸micro led拼接箱体。据介绍，该箱体由8块屏体拼接而成，拼缝小于100微米、像素pitch 0.5毫米；具备四边无边框特性，可自由拼接达成客户定制化需求，适用于高端大尺寸拼接显示产品。
8月初，辰显光电在成都高新区成功点亮了国内首款p0.5 tft基无边框29英寸micro led拼接屏。该拼接屏采用了25微米led芯片，由4个14.5英寸micro led箱体拼接组成，像素间距为500微米。
8月21日，辰显光电宣布再次取得技术突破，成功点亮国内首款p0.5 tft基无边框58英寸micro led拼接屏。据介绍，这款micro led拼接屏融合了多项技术，具有高亮度、低功耗、长寿命以及高分辨率等优势；采用25微米led芯片和国内首款micro led专用驱动ic的应用，实现了10 bits色深、240 hz的高刷新率以及500,000:1的超高对比度。
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