三星为何能在内存芯片市场称霸？
7月至9月的这个季度，三星电子营业利润为17.5万亿韩元（154亿美元），高于去年同期的14.53万亿韩元。营收同比增长4.75%，至65万亿韩元（572亿美元）。
三星第三季度的高利润来源于其内存芯片的销量和三星显示器的较高盈利率。今年三星的季度收益再创历史新高，还得感谢苹果公司的支持。目前来说，苹果公司和三星电子之间的竞争还是处于相爱相杀阶段非常复杂，一方面是全球手机市场的第一和第二的出货量竞争，另一方面苹果公司的部分配件仍然由三星公司供给。
三星为何在内存芯片市场称霸？
目前全球内存芯片市场是三星、海力士、美光、东芝、西部数据等巨头称霸，三星市场份额最大。因为三星拥有全球最先进的半导体制造工艺，在工艺方面它与全球最大的芯片代工厂台积电处于同一水平，同时，三星在该领域起步早、研发实力强、重视度高，造就了如今的霸主地位。
三星在内存芯片的代表事件一览：
1986 年7 月 成功开发出1m dram
1990 年11 月 成功开发出16m dram
1992 年9 月 世界上首次成功开发出64m dram
1994 年8 月 世界上首次成功开发出256m dram
1996 年10 月 成功开发出1g dram
1998 年2 月 世界上首次成功开发出128m sdram
1998 年4 月 世界上首次成功开发出256m sdram
1998 年7 月 成功开发出64m rambus dram
1998 年9 月 界上首次成功开发出1g sdram
1999 年6 月 世界率先进行256-mb sdram 芯片量产
1999 年6 月 世界上首次成功开发出1gb ddr sdram
2000 年2 月 开发出图形卡用高速sdram，3 月开发出世界最小的sram 封装
2000 年4 月 世界上首次成功开发出512m dram
2001 年2 月 开发出4gb dram 安全技术
2001 年5 月 开发出300mhz ddr sdram
2001 年7 月 开始512mb 闪存设备的大规模生产
2002 年1 月 世界上首次成功开发出4gb ddr 模块，rambus dram 的总销售额突破1 亿人民币
2002 年2 月 首次量产12“晶片制作的256m dram
2002 年3 月 世界上首次成功开发出512m ddr dram，业内首次获得英特尔公司认证
2002 年9 月 在世界上率先进行90 纳米内存商业化
2002 年11 月 1ghz rambus dram 业内首次实现了批量生产
2002 年1 月 率先推出4 gb ddr 模块
2003 年7 月 开发出用于下一代内存的pram 技术，成为业界第一个开始300 mm 晶片1gb ddr dram 量产的公司
2003 年9 月 推出应用芯片叠层ccp 技术制备的最小1gb dram 芯片
2004 年4 月 业内首先开始图形ddr3 dram 大规模生产
2004 年8 月 开发出世界第一款64mb pram
2004 年9 月 在世界上首次开始以90 纳米dram 量产
2005 年6 月 90纳米处理1 gb ddr2 dram 开始大规模生产
2005 年10 月 世界首次开发成功70nm dram，开发出世界上速度最快的图形dram（gddr4）
2006 年 研发出50 纳米ddr，2008 年4 月量产
2009 年2 月 研发出世界首款40 纳米1gb ddr2 内存
2010 年7 月 成功研发出世界首款30 纳米级2gb ddr3 dram
虽然国内对内存芯片越来越重视，也出现了长江存储、紫光国微等企业，但国内厂商仍处于起步阶段，存储器的研发能否成功，未来几年将是关键期；研发成功后，良率能否提升到较高水平，成本控制是否能够达到预期，知识产权能否做到有效保护等，仍然有一定的不确定性。
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三星为何能在内存芯片市场称霸？
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三星第三季度的高利润来源于其内存芯片的销量和三星显示器的较高盈利率。今年三星的季度收益再创历史新高，还得感谢苹果公司的支持。目前来说，苹果公司和三星电子之间的竞争还是处于相爱相杀阶段非常复杂，一方面是全球手机市场的第一和第二的出货量竞争，另一方面苹果公司的部分配件仍然由三星公司供给。
三星为何在内存芯片市场称霸？
目前全球内存芯片市场是三星、海力士、美光、东芝、西部数据等巨头称霸，三星市场份额最大。因为三星拥有全球最先进的半导体制造工艺，在工艺方面它与全球最大的芯片代工厂台积电处于同一水平，同时，三星在该领域起步早、研发实力强、重视度高，造就了如今的霸主地位。
三星在内存芯片的代表事件一览：
1986 年7 月 成功开发出1m dram
1990 年11 月 成功开发出16m dram
1992 年9 月 世界上首次成功开发出64m dram
1994 年8 月 世界上首次成功开发出256m dram
1996 年10 月 成功开发出1g dram
1998 年2 月 世界上首次成功开发出128m sdram
1998 年4 月 世界上首次成功开发出256m sdram
1998 年7 月 成功开发出64m rambus dram
1998 年9 月 界上首次成功开发出1g sdram
1999 年6 月 世界率先进行256-mb sdram 芯片量产
1999 年6 月 世界上首次成功开发出1gb ddr sdram
2000 年2 月 开发出图形卡用高速sdram，3 月开发出世界最小的sram 封装
2000 年4 月 世界上首次成功开发出512m dram
2001 年2 月 开发出4gb dram 安全技术
2001 年5 月 开发出300mhz ddr sdram
2001 年7 月 开始512mb 闪存设备的大规模生产
2002 年1 月 世界上首次成功开发出4gb ddr 模块，rambus dram 的总销售额突破1 亿人民币
2002 年2 月 首次量产12“晶片制作的256m dram
2002 年3 月 世界上首次成功开发出512m ddr dram，业内首次获得英特尔公司认证
2002 年9 月 在世界上率先进行90 纳米内存商业化
2002 年11 月 1ghz rambus dram 业内首次实现了批量生产
2002 年1 月 率先推出4 gb ddr 模块
2003 年7 月 开发出用于下一代内存的pram 技术，成为业界第一个开始300 mm 晶片1gb ddr dram 量产的公司
2003 年9 月 推出应用芯片叠层ccp 技术制备的最小1gb dram 芯片
2004 年4 月 业内首先开始图形ddr3 dram 大规模生产
2004 年8 月 开发出世界第一款64mb pram
2004 年9 月 在世界上首次开始以90 纳米dram 量产
2005 年6 月 90纳米处理1 gb ddr2 dram 开始大规模生产
2005 年10 月 世界首次开发成功70nm dram，开发出世界上速度最快的图形dram（gddr4）
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2010 年7 月 成功研发出世界首款30 纳米级2gb ddr3 dram
虽然国内对内存芯片越来越重视，也出现了长江存储、紫光国微等企业，但国内厂商仍处于起步阶段，存储器的研发能否成功，未来几年将是关键期；研发成功后，良率能否提升到较高水平，成本控制是否能够达到预期，知识产权能否做到有效保护等，仍然有一定的不确定性。
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