国芯思辰铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C在仪表中应用，内存达128Kb
在仪表设计中，数据的安全存贮非常重要。如电子式电能表，它在运行期间时刻都在记录数据，如果功能设计的比较多，那么保存的数据量大，擦写次数比较多。一般需要有一个高性能的存贮器才能满足需求。
某客户在设计仪表时，需要用到一个寿命长、数据保存安全期长的存储器，该客户最终确定了拍字节的新型铁电存储器(fram)pb85rs128，该fram芯片（铁电随机存取存储器）配置为16,384×8位，通过铁电工艺和硅栅 cmos 工艺技术形成非易失性存储单元和sram不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1e6 次读/写操作*1，它的读/写耐久性大大超过flash和eeprom，且不会像flash或eeprom那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。
目前，拍字节pb85rs128是非常适合仪表设计要求的存贮器。它的性能指标完全达到设计要求，解决了仪表中的设计忧虑。更重要的是，它的存贮时间短，在异常掉电时，利用fram高速写特性，瞬时将企业级固态硬盘的ftl changes和write buffer保存到vfram中，彻底解决了企业级固态硬盘异常掉电引起的数据丢失问题。在出现仪表突然断电的情况数据能及时、安全的存贮。
拍字节pb85rs128主要参数如下：
· 容量：128kb
· 接口类型：spi接口(模式0和模式3)
· 工作电压：2.7伏至3.6伏
· 工作频率：25兆赫兹
· 功耗：4.2毫安（25兆赫兹）
· 低功耗：9微安（待机）
· 数据保持：10年@85℃（200年@25℃）
· 高速读特性：支持40mhz高速读命令
· 工作环境温度范围：-40℃至85℃
· 封装形式：8引脚sop封装，符合rohs
为了普及使用，拍字节pb85rs128封装形式除能够与eeprom及串行闪存兼容的sop外，还提供可穿戴设备用wson等超小型封装形式的产品。同时，使用tsop或sop封装形式提供256kbit至16mbit的并行存储器。在利用sram及数据保存用电池供电的应用中，并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。此外，在企业级ssd及nvdimm等应用场景，拍字节提供了256mbit至4gbit的ddr接口。
对于新型铁电存储器(fram)，国芯思辰pb85rs128拥有较快的响应速度以及高性价比的价格优势，可以完美替代赛普拉斯和富士通，能够给客户提供更好的价格和交期。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
T-Mobile已正式完成了对Sprint的收购交易
Firefly开发板在Ubuntu上实现双屏异显功能的方案
都是通孔电阻 长相千差万别
小米在为错误的零售策略买单
码隆科技：打造粤港澳大湾区城市产业集群，建设“人工智能大湾区”
国芯思辰铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C在仪表中应用，内存达128Kb
光伏组件价格回升 落后产能现死灰复燃苗头
谷歌的Brillo和苹果的HomeKit差别在哪里？
苹果13手机发布会官网地址
英飞凌正进行申请供货华为许可
NVMe1.4是什么？对固态硬盘性能的提升有多大？
梦之墨创新型工程教育解决方案亮相第57届高博会
全新无线调光开关模块 开关可直接控制智能照明
HTC与Binance携手推出EXODUS 1-Binance版手机
乐视经济风波持续：贾跃亭被夺权只是开始？裁员风暴上演
BK3435是什么芯片
运营商的流量新政已全面实施，实现薄利多销支撑下的收入增长
新型内存架构增强安全性
关于高分辨率三轴数字磁强计的性能分析和简介
PulseGuard系列静电释放抑制器的原理及适用范围分析
某客户在设计仪表时，需要用到一个寿命长、数据保存安全期长的存储器，该客户最终确定了拍字节的新型铁电存储器(fram)pb85rs128，该fram芯片（铁电随机存取存储器）配置为16,384×8位，通过铁电工艺和硅栅 cmos 工艺技术形成非易失性存储单元和sram不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1e6 次读/写操作*1，它的读/写耐久性大大超过flash和eeprom，且不会像flash或eeprom那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。
目前，拍字节pb85rs128是非常适合仪表设计要求的存贮器。它的性能指标完全达到设计要求，解决了仪表中的设计忧虑。更重要的是，它的存贮时间短，在异常掉电时，利用fram高速写特性，瞬时将企业级固态硬盘的ftl changes和write buffer保存到vfram中，彻底解决了企业级固态硬盘异常掉电引起的数据丢失问题。在出现仪表突然断电的情况数据能及时、安全的存贮。
拍字节pb85rs128主要参数如下：
· 容量：128kb
· 接口类型：spi接口(模式0和模式3)
· 工作电压：2.7伏至3.6伏
· 工作频率：25兆赫兹
· 功耗：4.2毫安（25兆赫兹）
· 低功耗：9微安（待机）
· 数据保持：10年@85℃（200年@25℃）
· 高速读特性：支持40mhz高速读命令
· 工作环境温度范围：-40℃至85℃
· 封装形式：8引脚sop封装，符合rohs
为了普及使用，拍字节pb85rs128封装形式除能够与eeprom及串行闪存兼容的sop外，还提供可穿戴设备用wson等超小型封装形式的产品。同时，使用tsop或sop封装形式提供256kbit至16mbit的并行存储器。在利用sram及数据保存用电池供电的应用中，并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。此外，在企业级ssd及nvdimm等应用场景，拍字节提供了256mbit至4gbit的ddr接口。
对于新型铁电存储器(fram)，国芯思辰pb85rs128拥有较快的响应速度以及高性价比的价格优势，可以完美替代赛普拉斯和富士通，能够给客户提供更好的价格和交期。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
T-Mobile已正式完成了对Sprint的收购交易
Firefly开发板在Ubuntu上实现双屏异显功能的方案
都是通孔电阻 长相千差万别
小米在为错误的零售策略买单
码隆科技：打造粤港澳大湾区城市产业集群，建设“人工智能大湾区”
国芯思辰铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C在仪表中应用，内存达128Kb
光伏组件价格回升 落后产能现死灰复燃苗头
谷歌的Brillo和苹果的HomeKit差别在哪里？
苹果13手机发布会官网地址
英飞凌正进行申请供货华为许可
NVMe1.4是什么？对固态硬盘性能的提升有多大？
梦之墨创新型工程教育解决方案亮相第57届高博会
全新无线调光开关模块 开关可直接控制智能照明
HTC与Binance携手推出EXODUS 1-Binance版手机
乐视经济风波持续：贾跃亭被夺权只是开始？裁员风暴上演
BK3435是什么芯片
运营商的流量新政已全面实施，实现薄利多销支撑下的收入增长
新型内存架构增强安全性
关于高分辨率三轴数字磁强计的性能分析和简介
PulseGuard系列静电释放抑制器的原理及适用范围分析