台积电显然在研发过程中又取得了重大突破

台积电显然在研发过程中又取得了重大突破。这次,这家全球最大的合同芯片制造商在其2nm架构的开发方面取得了长足的进步,该架构将在不久的将来在处理器中看到。
根据patentlyapple的一份报告,其供应链的消息来源透露,即将到来的2nm工艺将采用一种新的多桥沟道场效应晶体管(mbcfet)架构,这与该器件中使用的鳍式场效应晶体管(finfet)架构不同。 3nm和5nm工艺。这一发展也标志着台积电像三星一样,在目前的竞争中遥遥领先。
台积电一位官员还对出版物表示:“我们很乐观地认为,2023年下半年风险试生产的良率将达到90%,这将有助于我们继续赢得来自苹果和惠达等主要制造商的大订单。未来。”此外,该公司计划在2024年某个时候达到量产能力。星galaxy s20 fe vs oneplus 8 vs xiaomi mi 10 pro:规格对比。
早在2019年,台积电就专门成立了一个研发团队,为2nm工艺的开发找到可行的途径。该团队还必须考虑成本,设备兼容性,技术成熟度和性能以及其他条件。值得注意的是,2nm架构采用了基于环绕栅(gaa)工艺的mbcfet,解决了finfet工艺导致的电流控制泄漏的物理限制。
虽然这家芯片制造商已经在为2024年开发2nm处理器,但它也已经开始研究超出其范围的工艺。这包括在不久的将来进行1nm制程和其他风险投资的可能性。根据digitimes的报告,台积电也在加紧扩大其台湾中部工厂的2nm工艺。该报告还表明台湾公司与其竞争对手三星之间的差距正在扩大。


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