忆阻器基础研究测试
忆阻器是一种具有电荷记忆功能的非线性电阻，通过控制电流的变化可改变其阻值，自从2008年hp公司制备出了忆阻器，科学家们意识到忆阻器的优势和作用，所以现在也有很多院所开始进行忆阻器的研究
忆阻器研究分为基础性能研究测试，神经突触/神经元测试以及阵列测试，今天主要介绍一下基础研究测试
基础研究分为四步，分别是forming 前后特性验证、直流特性测试、交流特性测试、脉冲特性测试;
忆阻器直流特性测试通常与 forming 结合，主要测试忆阻器直流 v-i 曲线，并以此推算 set/ reset 电压 / 电流、hrs、lrs 等忆阻器重要 参数，可以进行单向扫描或双向扫描。
忆阻器交流特性主要进行捏滞回线的测试，捏滞 回线是鉴别忆阻器类型的关键.
忆阻器脉冲测试能有效地减小直流测试积累的焦 耳热的影响，同时，也可以用来研究热量对器件 性能的影响。由于忆阻器表征技术正向极端化发 展，皮秒级脉冲擦写及信号捕捉的需求日益强烈。
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