布局3D NAND技术 SanDisk与东芝合力扩建Fab 5
sandisk于日前表示，正与东芝（toshiba）合力扩建位于日本三重县四日市的五号半导体制造工厂（fab 5）第二期工程，并共同展开3d nand记忆体技术的研发，为2d nand flash记忆体制程将于10奈米（nm）节点面临微缩瓶颈，预做准备。
sandisk亚太区副总裁吴家荣表示，随着智能手机、平板装置及超轻薄笔电（ultrabook）配备nand flash和固态硬盘（ssd）比重不断攀升，nand flash记忆体市场将持续供不应求，因而吸引各nand flash供应商纷纷投入扩产，以纾解供货紧缩的问题。
吴家荣进一步指出，该公司与东芝合资的五号半导体制造工厂，即将启动第二期扩产计划，将持续采用最先进的19奈米制程技术，预定于2014年下半年正式投产；此外，sandisk亦将藉由该工厂进行3d nand技术的研发。
sandisk亚太区副总裁吴家荣
据了解，五号半导体制造工厂第二期扩产工程，一方面将导入19奈米制程投产2d nand flash存储器；另一方面则采用bics（bit cost scalable）技术试量产3d nand存储器，该技术标榜具备高性能、低成本且架构可扩充性的优势，已于先前由东芝率先发表，而sandisk已规划采用该项技术，生产3d nand闪存产品，并预计于2016年投产首款3d nand存储器。
针对sandisk是否会选用3d nand记忆体技术发展10奈米以下的制程，吴家荣说明，该公司目前无法对外说明3d nand存储器技术的制程规划蓝图，但可预见的是，相较于过去每一代nand flash制程节点差距动辄10奈米以上，进入19奈米以后，制程微缩的节点间隔将明显缩小。
显而易见，2d nand存储器技术即将面临发展瓶颈，而3d nand存储器将成为提高nand flash密度和降低成本的必然途径，也因此，除东芝和sandisk之外，三星（samsung）、海力士（hynix）及im flash technologies亦已投入3d nand存储器技术布局。其中，三星预定于2014年量产3d nand存储器。
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吴家荣进一步指出，该公司与东芝合资的五号半导体制造工厂，即将启动第二期扩产计划，将持续采用最先进的19奈米制程技术，预定于2014年下半年正式投产；此外，sandisk亦将藉由该工厂进行3d nand技术的研发。
sandisk亚太区副总裁吴家荣
据了解，五号半导体制造工厂第二期扩产工程，一方面将导入19奈米制程投产2d nand flash存储器；另一方面则采用bics（bit cost scalable）技术试量产3d nand存储器，该技术标榜具备高性能、低成本且架构可扩充性的优势，已于先前由东芝率先发表，而sandisk已规划采用该项技术，生产3d nand闪存产品，并预计于2016年投产首款3d nand存储器。
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