pcb layout中IC常用封装介绍

了解这些常识对pcb layout是有帮助的。下面还将介绍几种ic封装。
bga(ball grid array)
该封装是美国motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,bga 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些lsi 厂家正在开发500 引脚的bga。bga 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。
球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配lsi 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(pac)。引脚可超过200,是多引脚lsi用的一种封装。封装本体也可做得比qfp(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚bga 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚qfp 为40mm 见方。而且bga不用担心qfp 那样的引脚变形问题。
碰焊pga(butt joint pin grid array)
bqfp(quad flat package with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。qfp 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和asic 等电路中采用 此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右。
clcc(ceramic leaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型eprom 以及带有eprom 的微机电路等。此封装也称为 qfj、qfj-g。
dfp(dual flat package)
双侧引脚扁平封装。是sop 的别称(见sop)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
dic(dual in-line ceramic package)
陶瓷dip(含玻璃密封)的别称(见dip).
c-(ceramic)
表示陶瓷封装的记号。例如,cdip 表示的是陶瓷dip。是在实际中经常使用的记号。
cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ecl ram,dsp(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的cerdip 用于紫外线擦除型eprom 以及内部带有eprom 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为dip-g(g 即玻璃密封的意思)。
cerquad
表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷qfp,用于封装dsp 等的逻辑lsi 电路。带有窗口的cerquad 用于封装eprom 电路。散热性比塑料qfp 好,在自然空冷条件下可容许1.5~2w的功率。但封装成本比塑料qfp 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
lga(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷lga,应用于高速逻辑 lsi 电路。lga 与qfp 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速lsi 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
pin grid array(surface mount type)
表面贴装型pga。通常pga 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型pga 在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊pga。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型pga 小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑lsi 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
jlcc(j-leaded chip carrier)
j 形引脚芯片载体。指带窗口clcc 和带窗口的陶瓷qfj 的别称(见clcc 和qfj)。部分半导体厂家采用的名称。
lcc(leadless chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频ic 用封装,也称为陶瓷qfn 或qfn-c(见qfn)。
flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在lsi 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与lsi 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固lsi 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
dip(dual in-line package)
双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。dip是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑ic,存贮器lsi,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny dip和slim dip(窄体型dip)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为dip。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷dip 也称为cerdip(见cerdip)。
dicp(dual tape carrier package)
双侧引脚带载封装。tcp(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
用的是tab(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动lsi,但多数为定制品。另外,0.5mm 厚的存储器lsi 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照eiaj(日本电子机械工业)会标准规定,将dicp 命名为dtp。
fqfp(fine pitch quad flat package)
小引脚中心距qfp。通常指引脚中心距小于0.65mm 的qfp(见qfp)。部分导导体厂家采用此名称。
cqfp(quad fiat package with guard ring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料qfp 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。在把lsi 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(l 形状)。这种封装在美国motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。
loc(lead on chip)
芯片上引线封装。lsi 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
lqfp(low profile quad flat package)
薄型qfp。指封装本体厚度为1.4mm 的qfp,是日本电子机械工业会根据制定的新qfp外形规格所用的名称。
l-quad
陶瓷qfp 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑lsi 开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许w3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm中心距)的lsi 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。
mcm(multi-chip module)
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为mcm-l,mcm-c 和mcm-d 三大类。
mcm-l 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。
mcm-c 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使
用多层陶瓷基板的厚膜混合ic 类似。两者无明显差别。布线密度高于mcm-l。
mcm-d 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或si、al 作为基板的组件。

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