C0/C1对晶体稳定性的影响 CL对相噪和起振的影响

高精密电子仪器和通信系统的应用下,我们需要考虑不同封装(贴片/直插)的石英晶振的电性能参数变化对系统的影响,包括c0/c1, cl,rr。
c0/c1对晶体稳定性的影响
晶体的静态电容c0和动态电容c1大小,与晶片电极面积大小(体积大小)成正比,不同厂家设计c0也有差异。
同一频率c0/c1的不同会影响振荡电路的稳定性:
c0/c1大,频率上升到标称频率前电抗变大,起振快,频率难调整,但不易受外面杂散电容影响,适合高稳需求;
c0/c1小,频率变量大,易受杂散电容影响,频率温度稳定性变差,但易于cl调整频率。
koan晶振建议您:
先求稳后求精准度,要合理控制c0/c1范围,比如49s-25m合理范围280-310.
cl对相噪和起振的影响
负载电容cl是电路中跨接晶体两端的总的有效电容,主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
cl大,远端相噪好;cl过大,难调整到标称频率,还容易导致回路阻抗增大,难起振;cl小,容易调整频率,近端相噪好,易起振。
koan晶振建议您:
随着晶体小型化发展,谐振器c0变小,我们应相应降低cl。否则会减弱晶体c0电流分流比例。
rr对振幅和激励功率的影响01
同频率晶体的体积越小rr越大,rl晶体加负载电容的谐振阻抗, rl=rr(1+c0/cl)² 。根据其大小,评估振荡电路设计振荡宽限,满足振荡电路的振幅条件和激励功率等级。
02p=i²*rl,可根据电流i的大小评估激励功率等级和匹配相应的限流电阻
i:晶体谐振时流经晶振的电流,与rr成反比
rl:等效电阻
p:实际跨在晶体上的功率。
原文标题:晶体谐振器电性能差异化应用
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