带软开启功能的MOS管电源开关电路
电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用mos管实现的，且带软开启功能。
电路说明
电源开关电路，尤其是mos管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。
图中一个mos管符号代表一个完成电路
在设计时，只要增加一个电容（c1），一个电阻（r2），就可以实现软开启（soft start）功能。
c1、r2实现软开关功能
软开启，是指电源缓慢开启，以限制电源启动时的浪涌电流。在没有做软开启时，电源电压的上升会比较陡峭，见下图：
没有做软开启，电压上升比较陡峭
加入软开启功能后，电源开关会慢慢打开，电源电压也就会慢慢上升，上升沿会比较平缓，见下图：
加入软开启，电压上升比较平缓
浪涌电流可能会令电源系统突然不堪重负而掉电，导致系统不稳定，严重的可能会损坏电路上的元器件。
浪涌导致不稳定，甚至损坏电路
电源上电过快过急，负载瞬间加电，会突然索取非常大的电流。比如在电源电压是5v，负载是个大容量电容的时候，电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5v，电容充电电流会非常大。如果同样的时间内电源电压只上升到2.5v，那么电流就小得多了，下面从数学上分析一下。
电量 = 电容容量 * 电容两端的电压，即：
q = c * u
同时 电量 = 电流 * 时间，即：
q = i * t
所以电流：
i = (cu) / t
从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
大电容只是形成浪涌电流的原因之一，其他负载也会引起浪涌电流。
原理分析
1、控制电源开关的输入信号 control 为低电平或高阻时，三极管q2的基极被拉低到地，为低电平，q2不导通，进而mos管q1的vgs = 0，mos管q1不导通，+5v_out 无输出。电阻r4是为了在 control 为高阻时，将三极管q2的基极固定在低电平，不让其浮空。
2、当电源 +5v_in 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 control 为低电平或高阻，即关闭三极管q2，从而关闭mos管q1。因 +5v_in 还不稳定，不能将电源打开向后级电路输出。此时等效电路图如下。
此时电源 +5v_in 刚上电，使mos管g极与s极等电势，即vgs = 0，令q1关闭。
3、电源 +5v_in 上电完成后，mos管g极与s极两端均为5v，仍然vgs = 0。
4、此时将 control 设为高电平（假设高电平为3.3v），则：
①三极管q2的基极为0.7v，可算出基极电流ibe为：
(3.3v - 0.7v) / 基极电阻r3 = 0.26ma
②三级管q2饱和导通，vce ≈ 0。电容c1通过电阻r2充电，即c1与g极相连端的电压由5v缓慢下降到0v，导致vgs电压逐渐增大。
③mos管q1的vgs缓慢增大，令其缓慢打开直至完全打开。最终vgs = -5v。
④利用电容c1的充电时间实现了mos管q1的缓慢打开（导通），实现了软开启的功能。
mos管打开时的电流流向如下图所示：
5、电源打开后，+5v_out 输出为5v电压。此时将 control 设为低电平，三极管q2关闭，电容c1与g极相连端通过电阻r2放电，电压逐渐上升到5v，起到软关闭的效果。软关闭一般不是我们想要的，过慢地关闭电源，可能出现系统不稳定等异常。过程如下图：
一般情况下还是放心使用软启动功能，伴随而来的软关闭效果一般没什么影响。
电路参数设定说明
调整c1、r2的值，可以修改软启动的时间。值增大，则时间变长。反之亦然。
文章来源：芯片之家（id：chiphome-dy）
作者：lr梁锐
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软开启，是指电源缓慢开启，以限制电源启动时的浪涌电流。在没有做软开启时，电源电压的上升会比较陡峭，见下图：
没有做软开启，电压上升比较陡峭
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电量 = 电容容量 * 电容两端的电压，即：
q = c * u
同时 电量 = 电流 * 时间，即：
q = i * t
所以电流：
i = (cu) / t
从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
大电容只是形成浪涌电流的原因之一，其他负载也会引起浪涌电流。
原理分析
1、控制电源开关的输入信号 control 为低电平或高阻时，三极管q2的基极被拉低到地，为低电平，q2不导通，进而mos管q1的vgs = 0，mos管q1不导通，+5v_out 无输出。电阻r4是为了在 control 为高阻时，将三极管q2的基极固定在低电平，不让其浮空。
2、当电源 +5v_in 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 control 为低电平或高阻，即关闭三极管q2，从而关闭mos管q1。因 +5v_in 还不稳定，不能将电源打开向后级电路输出。此时等效电路图如下。
此时电源 +5v_in 刚上电，使mos管g极与s极等电势，即vgs = 0，令q1关闭。
3、电源 +5v_in 上电完成后，mos管g极与s极两端均为5v，仍然vgs = 0。
4、此时将 control 设为高电平（假设高电平为3.3v），则：
①三极管q2的基极为0.7v，可算出基极电流ibe为：
(3.3v - 0.7v) / 基极电阻r3 = 0.26ma
②三级管q2饱和导通，vce ≈ 0。电容c1通过电阻r2充电，即c1与g极相连端的电压由5v缓慢下降到0v，导致vgs电压逐渐增大。
③mos管q1的vgs缓慢增大，令其缓慢打开直至完全打开。最终vgs = -5v。
④利用电容c1的充电时间实现了mos管q1的缓慢打开（导通），实现了软开启的功能。
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5、电源打开后，+5v_out 输出为5v电压。此时将 control 设为低电平，三极管q2关闭，电容c1与g极相连端通过电阻r2放电，电压逐渐上升到5v，起到软关闭的效果。软关闭一般不是我们想要的，过慢地关闭电源，可能出现系统不稳定等异常。过程如下图：
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