三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星首家量产40nm级工艺4gb ddr3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4gb ddr3内存芯片。
这种内存芯片支持1.5v和1.35v两种工作电压，可组装成16/32gb rdimm服务器内存条或者8gb so-dimm笔记本内存条，性能1.6gbps，功耗相比于上一代产品降低35%，能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。
三星指出，目前服务器系统平均每路处理器搭配六条rdimm内存条，总容量最大96gb，如果是60nm 1gb ddr2芯片，内存子系统功耗可达210w，换成40nm 2gb ddr3芯片就只消耗55w，而最新的40nm 4gb ddr3会进一步降至仅仅36w，也就是节能83%之多，相当于为每套服务器系统节约10%的功耗。
由于单颗芯片容量翻番，4gb ddr3芯片的量产也能大大推动单条32gb内存条的普及。
三星从去年七月开始引入40nm级别的ddr dram生产工艺，并计划将该工艺的生产比例逐渐提高到90%以上。
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