U7712同步整流芯片超低静态电流
u7712同步整流芯片超低静态电流
u7712同步整流芯片典型输出5v3a，是一款用于替代flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率mosfet以提升系统效率。<300ua 超低静态电流，内置40v功率mosfet，性能优越，表现卓越！
01
7.1v 稳压器：在原边mosfet导通期间，u7712同步整流芯片内部7.1v稳压器将从其drain管脚抽取电流向vdd供电，以使vdd电压恒定在7.1v左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uf的陶瓷电容作为vdd电容。
02
系统启动：系统开机以后，u7712同步整流芯片内部高压ldo从drain管脚抽取电流向vdd电容供电。当vdd电压低于欠压保护阈值后（3.1v 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流mosfet进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流mosfet的体二极管实现续流。当vdd电压高于vdd开启电压后（4v 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流mosfet只在副边续流期间才能开通。
03
开通阶段：初始阶段同步整流mosfet处于关闭状态，副边电流经mosfet体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向vds电压 (<-500mv)。该负向vds电压远小于u7712同步整流芯片内部mosfet开启检测阈值，故经过开通延迟（td_on，约 200ns）后内部mosfet开通。
04
关断阶段：在同步整流mosfet导通期间，u7712同步整流芯片采样mosfet漏-源两端电压(vds)。当vds电压高于mosfet关断阈值，内部mosfet将在关断延迟（td_off，约 60ns）后被关断。
05
前沿消隐 (leb)：在内部同步整流mosfet开通瞬间，u7712同步整流芯片漏-源(drain-source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路 (leb)。在leb时间（约 1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
u7712同步整流芯片支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)。u7712集成有vdd欠压保护功能和vdd电压钳位。u7712内置vdd高压供电模块，无需vdd辅助绕组供电，减低了系统成本。
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01
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02
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03
开通阶段：初始阶段同步整流mosfet处于关闭状态，副边电流经mosfet体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向vds电压 (<-500mv)。该负向vds电压远小于u7712同步整流芯片内部mosfet开启检测阈值，故经过开通延迟（td_on，约 200ns）后内部mosfet开通。
04
关断阶段：在同步整流mosfet导通期间，u7712同步整流芯片采样mosfet漏-源两端电压(vds)。当vds电压高于mosfet关断阈值，内部mosfet将在关断延迟（td_off，约 60ns）后被关断。
05
前沿消隐 (leb)：在内部同步整流mosfet开通瞬间，u7712同步整流芯片漏-源(drain-source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路 (leb)。在leb时间（约 1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
u7712同步整流芯片支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)。u7712集成有vdd欠压保护功能和vdd电压钳位。u7712内置vdd高压供电模块，无需vdd辅助绕组供电，减低了系统成本。
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