《炬丰科技-半导体工艺》III-V的光子学特性

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:iii-v的光子学特性
编号:jfkj-21-215
作者:炬丰科技
摘要  
   iii-v型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建模块。电子和光子沿纳米线的特殊横向文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁约束轴。 此外,半导体纳米线具有亚波长结构表现出强烈的光学米氏共振,是理想的实现平台新型光学器件,如极端太阳能吸收器和宽带光捕获设备。
半导体纳米线形成与应用的历史回顾  
gasb纳米线的制备与表征  
掺杂的gasb ,b衬底上制备gasb纳米柱 。 在蚀刻前,gasb晶圆样品的尺寸约为0.6厘米× 0.6 cm用丙酮漂洗,异丙醇溶液漂洗5分钟后吹干。

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