探讨存储器IC分类
说起存储器ic的分类，大家马上想起可以分为ram和rom两大类。
ram是random access memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的r a m又可以分成sram(static ram：静态ram)和dram(dynamic ram：动态ram)。
rom是read only memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的rom又可分为掩膜rom(有时直接称为rom)、prom(programmable rom：
可编程rom，特指一次编程的rom)、eprom(erasable programmablerom：可擦除可编程的rom，擦除时用紫外线)、eeprom(electricallyerasable programmable rom：电可擦除可编程rom)。
以上是大家在各种教材上看到的存储器的分类。
问题是，rom明明叫只读存储器，也就是不可写的存储器，现实是除了掩膜rom是不可写的外，prom、eprom、eeprom事实上都是可写的。它们的名称中还带有“rom”是名不副实的叫法。掩膜rom、prom、eprom、eeprom这几种存储器的共同特点其实是掉电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即non-volatile memory)。
sram、dram的共同特点是掉电后数据会丢失，所以也可称为易失性存储器(volatile memory)。
于是，存储器从大类来分，可以分为易失性存储器和非易失性存储器。
后来出现的flash memory(快闪存储，简称闪存)，掉电后数据也不容易丢失，所以也属于非易失性存储器。flash memory的名称中已经不带rom字样了，但是传统的分类方法中，还是把flash memory归类为rom类，事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。
把存储器分为易失性存储器和非易失性存储器就万事大吉了么？
令人纠结的是，有一种新的存储器，它既是非易失的，同时又是能够高速随时读写数据的，也就是说能够随机存取的。这种存储器就是fram(ferroelectric random accessmemory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把fram归类为非易失性存储器是可以，但是fram的高速读写性质又与sram、dram更为接近，它也是一种ram。
于是，存储器的分类令人纠结。
传统的分为ram与rom的方式本来就不科学。如果分成ram与非易失性存储器这两大类，也不科学，因为这个分类本身就不是按同一个标准分的，导致fram即属于ram，又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器，又导致fram与sram、dram分家，大家都有ram嘛，凭什么分开是吧。
我的建议是，存储器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类比较合适。
于是，存储器的分类如下(按存取速度分类)：
1、随机存取存储器：sram、dram、fram；
2、非随机存取存储器：掩膜rom、prom、eprom、eeprom、flash memory。
差强人意的分类为(按易失性分类)：
1、易失性存储器：sram、dram；
2 、非易失性存储器： 掩膜rom、prom、eprom、eeprom、flash memory、fram。
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于是，存储器的分类令人纠结。
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于是，存储器的分类如下(按存取速度分类)：
1、随机存取存储器：sram、dram、fram；
2、非随机存取存储器：掩膜rom、prom、eprom、eeprom、flash memory。
差强人意的分类为(按易失性分类)：
1、易失性存储器：sram、dram；
2 、非易失性存储器： 掩膜rom、prom、eprom、eeprom、flash memory、fram。
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