电源防反电路的四种电路设计方案
1、二极管防反接
描述：采用二极管进行保护，电路简单，成本低，占用空间少，但是二极管pn结在导通时，会存在一定的压降，一般在0.5v左右（主要根据选型的二极管参数决定）
2、采用nmos防护
如下图，上电瞬间，mos管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极s的电位大约是0.7v，而栅极g的电位为vbat，mos管的开启电压极为：ugs=vbat-vs,栅极表现为高电平，nmos的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过nmos的ds接入形成回路，若电源接反，nmos的导通电压为0，nmos截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
3、采用pmos防护
如下图，上电瞬间，mos管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极s的电位大约为vbat-0.7v，而栅极g的电位为0，mos管的开启电压极为：ugs-0=(vbat-0.7),栅极表现为低电平，pmos的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过pmos的ds接入形成回路，若电源接反，pmos的导通电压大于0，pmos截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
nmos管将ds串到负极，pmos管将ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向；
mos管的d极和s极的接入：通常使用n沟道的mos管时，一般是电流由d极进入s极流出，p沟道的mos管时,s极进入d极流出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足mos管导通的电压条件，mos管只要在g和s之间建立一个合适的电压就会完全导通，导通之后d和s之间就像是一个开关闭合了，电流是从d到s或s到d都一样的电阻。
在实际应用中，g极一般串接一个电阻，为了防止mos管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在上面的电容，有一个软启动的作用，在电流开始流过的瞬间，电容充电，g极的电压逐步建立起来，如下图：
对于pmos，相比nmos导通需要vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，ds之间的压差不大，比nmos更具有优势。
4、usb与电池切换设计：
当usb供电时，pmos截止，通过二极管输入系统；当电池供电时，pmos导通，下拉电阻的作用是将栅极电位稳定拉低，确保pmos正常开启，防止栅极高阻抗带来隐患。
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如下图，上电瞬间，mos管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极s的电位大约是0.7v，而栅极g的电位为vbat，mos管的开启电压极为：ugs=vbat-vs,栅极表现为高电平，nmos的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过nmos的ds接入形成回路，若电源接反，nmos的导通电压为0，nmos截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
3、采用pmos防护
如下图，上电瞬间，mos管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极s的电位大约为vbat-0.7v，而栅极g的电位为0，mos管的开启电压极为：ugs-0=(vbat-0.7),栅极表现为低电平，pmos的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过pmos的ds接入形成回路，若电源接反，pmos的导通电压大于0，pmos截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
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mos管的d极和s极的接入：通常使用n沟道的mos管时，一般是电流由d极进入s极流出，p沟道的mos管时,s极进入d极流出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足mos管导通的电压条件，mos管只要在g和s之间建立一个合适的电压就会完全导通，导通之后d和s之间就像是一个开关闭合了，电流是从d到s或s到d都一样的电阻。
在实际应用中，g极一般串接一个电阻，为了防止mos管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在上面的电容，有一个软启动的作用，在电流开始流过的瞬间，电容充电，g极的电压逐步建立起来，如下图：
对于pmos，相比nmos导通需要vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，ds之间的压差不大，比nmos更具有优势。
4、usb与电池切换设计：
当usb供电时，pmos截止，通过二极管输入系统；当电池供电时，pmos导通，下拉电阻的作用是将栅极电位稳定拉低，确保pmos正常开启，防止栅极高阻抗带来隐患。
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