Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合
全新单片微波集成电路（mmic）和分立器件，可满足5g、卫星通信和国防应用的性能要求
microchip technology inc.（美国微芯科技公司）今日宣布大幅扩展其氮化镓（gan）射频（rf）功率器件产品组合，推出频率最高可达20千兆赫（ghz）的新款单片微波集成电路（mmic）和分立晶体管。这些器件同时具备高功率附加效率（pae）和高线性度，为5g、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的性能水平。
与所有microchip 的gan射频功率产品一样，新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造，提供了高功率密度和产量的最佳组合，可在高压下运行，255℃结温下使用寿命超过100万小时。
这些产品包括覆盖2至18 ghz、12至20 ghz、3 db压缩点（p3db）射频输出功率高达20w、效率高达25%的12至20 ghz的氮化镓mmic；用于s和x波段、pae高达60%的裸片和封装氮化镓mmic放大器，以及覆盖直流至14 ghz、p3db射频输出功率高达100w，最大效率为70%的分立高电子迁移率晶体管（hemt）器件。
microchip分立产品业务部副总裁leon gross表示：“microchip持续投入打造gan射频产品系列，以支持从微波到毫米波长所有频率的各种应用。我们的产品组合包括从低功率水平到2.2千瓦的50多种器件。今天宣布推出的产品跨越了2至20 ghz，旨在解决5g和其他无线网络采用的高阶调制技术带来的线性度和效率挑战，以及满足卫星通信和国防应用的独特需求。”
除gan器件外，microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓（gaas）射频放大器和模块、低噪声放大器、前端模块（rffe）、变容二极管、肖特基和pin二极管、射频开关和电压可变衰减器。此外，公司还提供高性能表面声波（saw）传感器和微机电系统（mems）振荡器以及高度集成的模块。这些模块将单片机（mcu）与射频收发器（wi-fi® mcu）相结合，支持从蓝牙®和wi-fi到lora®的主要短程无线通信协议。
开发工具
microchip及其分销合作伙伴均提供电路板设计支持，帮助客户进行设计。此外，公司还为该款全新gan产品提供紧凑型模型，让客户能够更容易建立性能模型，加快系统中功率放大器的设计。
供货
今日发布的器件（包括icp0349和icp0349pp7）以及其他microchip射频产品均已投入量产。
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开发工具
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