安谱隆半导体推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管
安谱隆半导体（ampleon）宣布，推出600w的blf0910h9ls600 ldmos功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新gen9hv 50v ldmos工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930mhz ism频段中的工业加热连续波（cw）射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷sot502封装，结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间，从而降低了放大器设计的成本。
由于其高工作效率——通常高于68%，其冷却需求也保持在最低限度，这有助于进一步降低所需的空间。
blf0910h9ls600具有高增益的优势——其19.8db的典型增益是在915mhz cw ab类应用中以50v vds测得——这有助于提高放大器的整体效率。
通过使用2个这种小型sot502封装的600w晶体管，设计人员可以在与单个sot539封装相同的空间中搭建出一个1.2kw的射频功率放大器。这种架构还有助于降低晶体管温度，从而有效实现比单个sot539解决方案更高的效率。
blf0910h9ls600集成了esd保护和内部输入匹配。此匹配增加了晶体管的输入阻抗，简化了pcb匹配结构的设计，从而可实现紧凑的放大器设计。
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