10月14日,三安集成连续第四次参加电子设计创新大会(edicon),与通讯行业同仁共同探讨行业热门话题。本次展会,三安集成携最新突破的第三代hbt以及ed-mode phemt制程工艺,为客户呈现两场技术交流分享会。
三安集成在砷化镓射频芯片制造工艺领域持续投入,不断提高工艺水平,第三代hbt工艺可以应用于hpue/apt pa,提供了更高的功率密度以及pae水平,支持客户在高频段消费类通讯的应用需求。另外,0.1/0.15/0.25um phemt工艺均已实现量产,可以为客户提供世界一流的生产能力和性能水平。在展会期间,砷化镓射频事业部的林义书处长就5g应用市场阐述三安集成的服务能力。
为配合客户在射频前端模组的设计需求,三安集成也在积极建设滤波器产业链,于日本成立研发中心,汇集国际尖端科研智慧,及时响应市场动态,为客户提供最新的技术成果;三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的滤波器供应链,垂直整合了研发设计,衬底材料,芯片制造和封装测试等环节,确保稳定持续的产能供应,预计到2021年第二季度,产能可以达到120mu/月。滤波器事业部的谢祥政经理也就表面声波(saw)滤波器仿真的相关议题进行了分享。
sanan ic stand at edi con china 2020
三安以近20年的化合物半导体制造经验,专业的设计支持团队,以及丰沛的产能,为微波射频、功率电子以及光技术领域的客户提供标准化及客制化的生产服务。
原文标题:三安集成持续投入砷化镓射频芯片,积极建设滤波器产业链
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