安森美半导体推出12款新N沟道功率MOSFET系列
安森美半导体推出12款新n沟道功率mosfet系列
经过100%雪崩测试的mosfet提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：onnn) 扩充n沟道功率mosfet系列，新增12款100伏(v)器件。安森美半导体经过完备测试的n沟道功率mosfet提供高达500毫焦(mj)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
安森美半导体这些100 v功率mosfet器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(ups)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(dgi)。这些无铅器件，符合rohs指令，关键的规范特性包括：
* 导通阻抗(rds(on))低至13毫欧(mω)
* 电流能力高达76安培(a)
* 经过100%雪崩测试
* 通过aec-q101标准认证
安森美半导体mosfet产品部副总裁兼总经理paul leonard说：“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰，以及推动更高能效，安森美半导体的n沟道功率mosfet提供强固及可靠的方案。我们100 v产品系列新增的器件为客户提供更多的选择，帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。”
封装及价格
ntp641x和ntb641x系列42到76 a器件包括ntb6410an、ntp6410an、ntb6411an、ntp6411an、ntb6412an、ntp6412an、ntb6413an及ntp6413an，采用无铅及符合rohs指令的to-220及d2pak封装。ntd641x系列17到32 a器件包括ntd6414an、ntd6415an、ntd6416an及ntd6416anl，采用无铅及符合rohs指令的dpak及ipak封装。所有这些器件的工作温度范围为-55°c至+175°c。这些mosfet每10,000片批量的价格为0.92至1.90美元。现提供样品。
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