三星电子成功开发出了DDR5芯片
随着现代计算机能力的不断发展，推动着存储器件朝着更高性能的方向发展。ddr5作为ddr4的后继者，能支持更快的传输速率和更高的容量。近日，三星电子宣布成功开发ddr5芯片，可提供更强大、更可靠的性能，支持现代服务器不断增长的需求。
三星ddr5芯片采用新型的硅通孔(tsv) 8层技术，与ddr4相比，该技术使得ddr5的单个芯片能够包含两倍的堆栈数量。每个双列直插式存储模块(dimm)还提供高达512gb的存储空间。其数据传输速度高达4800 mt/s，专门用于处理繁重的工作负载。此外，三星ddr5还具有纠错码(ecc)电路，提高产品可靠性。
虽然，各大内存厂商纷纷推出了ddr5存储产品，但是真正要实现ddr5的普及平台的支持才是最大的问题。但是，目前还没有正式支持ddr5内存的平台，amd预计会在2021年的zen4处理器上更换插槽，支持ddr5内存，而intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过ddr5内存支持，官方路线图显示2021年的7nm工艺sapphire rapids处理器才会上ddr5，而且是首发服务器产品，消费级的估计还要再等等。
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