华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆
香港， 2017年3月30日 - （亚太商讯） - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.hk）今天宣布，公司功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中，得益于市场对超级结mosfet（「金氧半场效电晶体」）和igbt（「绝缘栅双极型电晶体」）的强劲需求，华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型super junction mosfet（「sjnfet」）以及场截止型igbt累计出货量分别超过了200，000片和30，000片晶圆，并保持快速增长趋势。
功率半导体器件在移动通讯、消费电子、开关电源、马达驱动、led驱动、新能源汽车、智能电网等领域发挥着越来越重要的作用，是降低功耗、提高效率的关键核心器件。华虹半导体拥有十五年的功率器件稳定量产经验，是全球首家、同时亦是最大的功率器件200mm晶圆代工厂。凭籍持续的研发和创新，公司以极具竞争力的功率半导体技术，为客户提供从低压到高压的完整解决方案，同时不断向更高端、更广阔应用的高密度大功率器件方向深耕，延续其「全球功率器件领导者」的战略布局。
目前，公司已推出第三代sjnfet工艺平台，技术参数达业界一流水平，可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。公司的场截止型igbt技术参数可比肩国际领先企业，并具有出色的背面晶圆加工能力，是中国大陆唯一拥有igbt全套背面加工工艺的晶圆代工厂商。
华虹半导体执行副总裁范恒先生表示：「功率mosfet累计出货量突破500万片是华虹半导体的一个重要里程碑，越来越多的功率系统设计人员将目光投向我们，寻求绿色能源、快速充电、工业应用等方面领先的电源管理芯片代工方案。以绿色创『芯』为主轴，我们还将重点关注整个新能源汽车的产业链，包括充电桩、电池保护、马达驱动等应用。此外，我们正在加速研发应用于高端工业和能源领域的超高压igbt技术，相信会进一步巩固公司在功率器件领域的领先地位。」
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目前，公司已推出第三代sjnfet工艺平台，技术参数达业界一流水平，可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。公司的场截止型igbt技术参数可比肩国际领先企业，并具有出色的背面晶圆加工能力，是中国大陆唯一拥有igbt全套背面加工工艺的晶圆代工厂商。
华虹半导体执行副总裁范恒先生表示：「功率mosfet累计出货量突破500万片是华虹半导体的一个重要里程碑，越来越多的功率系统设计人员将目光投向我们，寻求绿色能源、快速充电、工业应用等方面领先的电源管理芯片代工方案。以绿色创『芯』为主轴，我们还将重点关注整个新能源汽车的产业链，包括充电桩、电池保护、马达驱动等应用。此外，我们正在加速研发应用于高端工业和能源领域的超高压igbt技术，相信会进一步巩固公司在功率器件领域的领先地位。」
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