带阻“行管”及带阻晶体管检测方法
1.带阻尼行输出管的检测
用万用表r×1 ω 档，测量发射结（基极b 与发射极e 之间）的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20～50 ω。
用万用表r×1 kω 档，测量行输出管集电结（基极b 与集电极c 之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接基极b，红表笔接集电极c）为3～10 kω，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0 或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表r×1 kω 档，测量行输出管c、e 极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6～7 kω），反向电阻值为无穷大。若测得c、e 极之间的正、反向电阻值均很小，则是行输出管c、e 极之间短路或阻尼二极管击穿损坏；若测得c、e 极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。
带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与普通晶体管相同。
带阻尼行输出管的放大能力（交流电流放大系数β 值）不能用万用表的hfe 档直接测量，因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极c 与基极b 之间并接1 只30 kω的电位器，然后再将行输出管各电极hfe 插孔连接。适当调节电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。
2.带阻晶体管的检测
因带阻晶体管内部含有1 只或2 只电阻器，故检测的方法与普通晶体管略有不同。检测之前应先了解电阻器的阻值。
测量时，将万用表置于r×1 kω 档，测量带阻晶体管集电极c 与发射极e 之间的电阻值（测npn管时，应将黑表笔接c 极，红表笔接e 极；测pnp 管时，应将红表笔接c 极，黑表笔接e 极，正常时，阻值应为无穷大，且在测量的同时，若将带阻晶体管的基极b 与集电极c 之间短路后，则应有小于50 kω的电阻值。否则，可确定为晶体管不良。
也可以用测量带阻晶体管b、e 极，c、b 极及c、e 极之间正、反向电阻值的方法（应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响）来估测晶体管是否损坏。
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用万用表r×1 ω 档，测量发射结（基极b 与发射极e 之间）的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20～50 ω。
用万用表r×1 kω 档，测量行输出管集电结（基极b 与集电极c 之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接基极b，红表笔接集电极c）为3～10 kω，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0 或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表r×1 kω 档，测量行输出管c、e 极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6～7 kω），反向电阻值为无穷大。若测得c、e 极之间的正、反向电阻值均很小，则是行输出管c、e 极之间短路或阻尼二极管击穿损坏；若测得c、e 极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。
带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与普通晶体管相同。
带阻尼行输出管的放大能力（交流电流放大系数β 值）不能用万用表的hfe 档直接测量，因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极c 与基极b 之间并接1 只30 kω的电位器，然后再将行输出管各电极hfe 插孔连接。适当调节电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。
2.带阻晶体管的检测
因带阻晶体管内部含有1 只或2 只电阻器，故检测的方法与普通晶体管略有不同。检测之前应先了解电阻器的阻值。
测量时，将万用表置于r×1 kω 档，测量带阻晶体管集电极c 与发射极e 之间的电阻值（测npn管时，应将黑表笔接c 极，红表笔接e 极；测pnp 管时，应将红表笔接c 极，黑表笔接e 极，正常时，阻值应为无穷大，且在测量的同时，若将带阻晶体管的基极b 与集电极c 之间短路后，则应有小于50 kω的电阻值。否则，可确定为晶体管不良。
也可以用测量带阻晶体管b、e 极，c、b 极及c、e 极之间正、反向电阻值的方法（应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响）来估测晶体管是否损坏。
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