洲明最新COB LED微间距的技术突破
8月11日下午14：00，「umicro 重塑新章」洲明micro led新品发布会在福永总部盛大召开。洲明集团显示产品线总裁田守进、micro led技术部总经理张金刚、产品管理部总经理万庚，在云端全方位展示洲明最新cob led微间距的技术突破与产品研发成果。
田守进总裁分享led市场发展趋势及洲明micro产业战略
cob led微间距市场成为主流
全面布局：洲明技术产能持续突破
随著micro 技术的突破，破除良率瓶颈的micro led凭借面光源、高亮度、高防护、更小的像素间隔等特性，成为市场上最具发展潜力的新一代显示技术，有望在各行各业生根发芽、遍地开花。
根据显示屏研调机构集邦科技指出，micro led大尺寸显示芯片市场规模将在2026年成长至45亿美元，年复合成长逾204%。在投资市场上，micro led也被视为是未来 10 年内最为关键的显示技术革命，成为热门的潜力股。
千里虽遥，孰敢不至！洲明科技作为led行业引领者，在小微间距技术创新及产品研发上深耕已久。自2016年整合行业资源、启动专项研究，到如今micro基地产能达2000平米/月，洲明持续引领「材料、结构设计、制造制程」等关键技术领域。
世界最大led显示屏智造基地·洲明大亚湾 cob产线实观
2018年，洲明发布umini cob产品系列，率先实现cob0.9量产，首建深圳mini/micro研发生产基地，领跑全新赛道；
2020年，umini 突破表面黑处理技术，荣获当年ise最佳展品奖；同期又一mini/micro研发基地亮相深圳，重塑led小微间距产业格局；
2021年，洲明umicro0.5小批量通过市场验证，于惠州大亚湾建成一期micro生产基地，产能达1000平米/月，加速行业步入micro新时代。
行业领先umicro 0.4全球发布
洲明科技：重塑市场格局
梦想要仰望星空，行动要脚踏实地。
umicro关键技术图 张金刚总经理分享
本次发布的umicro系列应用最先进的micro led技术，采用rgb全倒装发光芯片，点间距最低突破至0.4，产品应用八大维度的洲明特色尖端技术，在低反光、低摩尔纹、超黑底色等多重性能优势上再次取得重大突破。
超柔和画面氛围绝佳
umicro led在智造过程中搭配独有的ebl+多层光学处理，保证画面柔和度、对比度的同时，减少屏幕摩尔纹现象，色彩极致纯粹，观看不反光，触摸无痕迹；
在洲明自研uos系统护航下，3d-lut色域校准技术实现电影级广阔色域任意转换；此外，edl驱动技术的应用保障了画面的一致性，使画面看起来细致入微。
超高稳定度坚如磐石：日常运维中，显示屏曾因高温产生颜色校正故障？
umicro运用超冷屏技术，箱体最大功耗为40w，屏前温度低至38℃（600nits，25℃环境温度下）；
产品适用3重认证+7大防护处理，使显示屏轻松化解各种环境考验。
沉浸式观赏体验完美：智慧生活时代的全面来临，促使室内大尺寸、高分辨率显示应用市场需求大幅提高。
umicro 0.4拼缝《0.04mm，避免了lcd、dlp显示具有拼接缝的缺陷；
产品核心芯片尺寸与宽度相近于一根头发或更小，发光效能却毫不逊色，峰值亮度达2400nits，搭配全灰阶校正技术，使画面永远处于最佳状态。
万庚总经理从性能优势出发，展示洲明如何灵活应用umicro、定制各大应用场景的解决方案。
优异的产品特性决定了更大的应用延伸。从大方向上看，umicro不仅可替代lcd、oled，应用于指控中心、商业显示等传统显示市场，它还在裸眼3d、ar/xr、家庭影院等创新领域前景广阔。
以客户为本，以创新为道。经过十八年筚路蓝缕，洲明科技在led半导体技术的应用延申上积极探索，逐步形成了「硬件+软件+内容+交互」的一体化解决方案，并在技术创新上持续取得突破。未来，洲明将继续发挥强大的产业链优势，以全新的「光显」发展格局，引领led半导体行业步入高位发展阶段。
铝PCB的技术要求和电路制作过程
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随著micro 技术的突破，破除良率瓶颈的micro led凭借面光源、高亮度、高防护、更小的像素间隔等特性，成为市场上最具发展潜力的新一代显示技术，有望在各行各业生根发芽、遍地开花。
根据显示屏研调机构集邦科技指出，micro led大尺寸显示芯片市场规模将在2026年成长至45亿美元，年复合成长逾204%。在投资市场上，micro led也被视为是未来 10 年内最为关键的显示技术革命，成为热门的潜力股。
千里虽遥，孰敢不至！洲明科技作为led行业引领者，在小微间距技术创新及产品研发上深耕已久。自2016年整合行业资源、启动专项研究，到如今micro基地产能达2000平米/月，洲明持续引领「材料、结构设计、制造制程」等关键技术领域。
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umicro运用超冷屏技术，箱体最大功耗为40w，屏前温度低至38℃（600nits，25℃环境温度下）；
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