下一代LTE基站功率放大器全面试商用
“我们的多款lte基站功率放大器已被主流通信设备厂商采用，并已投入到中国运营商的大规模试商用中。”恩智浦半导体高性能rf产品线rf功率及基站产品国际营销经理潘璠在iic展台无限自豪地对本刊记者表示。
作为ldmos功率放大器的后来居上者，nxp在基站功率放大器市场的份额迅速提升，特别是赶上了中国运营商大规模建网的好时机。当然，这主要得归功于他们的产品在能效上的明显优势，正好满足了运营商绿色基站的需求。比如此次展会上，他们推出的一款针对2.1ghz wcdma的asm-doherty射频功率放大器——blf7g22ls-130/200，通过polar跟踪和doherty+预失真的方式大幅提升效率，在80w的平均输出功率上，效率可达48%。
另一款针对a+f双频段的td-scdma射频功率放大器——21ls-160p，也已成为中移动基站中的主流产品，一个器件实现doherty，具有高集成度低成本优势。在22w的平均输出功率上效率可达42%。
图：针对2.1ghz wcdma/lte的基站射频功放——3xblf7g22ls-160，采用了nxp专利的3路doherty技术，效率达48%以上。
如果说过去两年是nxp在射频功放市场由弱至强的两年，那么未来随着射频功放向lte/4g的高频发展，nxp的优势就会更加明显。“我们在1.8ghz的产品上很有信心;在2.3g-2.4g的产品中具有较强的节能优势;而在3.8ghz以上的市场基本上就没有对手了。”潘璠信心十足地表示。
此次，他们展示了一款频率为2.5-2.7ghz，针对lte、td-lte和wimax的基站功率放大器——blfg27ls-90p，同样采用了高集成度的单器件doherty技术，在18w的平均输出效率上，效率大于42%。另一款针对2.1ghz wcdma/lte的基站射频功放——3xblf7g22ls-160，则是采用了nxp专利的3路doherty技术，效率达48%以上，具有16db的高增益。“该器件采用了ofdm和64qam调制方式，具有较高的峰值功率。经大批量生产验证，具有很好的一致性和高可靠性。” 潘璠说道。
在ldmos市场获得成功后，nxp下一步将会推氮化镓工艺的射频功放。“随着开关技术成熟后，可以更好地发挥氮化镓的高密度与高频率特性，我们预计这种新工艺的pa在2013/2014年可以商用。”潘璠对本刊记者透露。
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图：针对2.1ghz wcdma/lte的基站射频功放——3xblf7g22ls-160，采用了nxp专利的3路doherty技术，效率达48%以上。
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在ldmos市场获得成功后，nxp下一步将会推氮化镓工艺的射频功放。“随着开关技术成熟后，可以更好地发挥氮化镓的高密度与高频率特性，我们预计这种新工艺的pa在2013/2014年可以商用。”潘璠对本刊记者透露。
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