Silicon Motion SSD控制器促进TLC闪存芯片增长
随着三级单元（简称tlc）nand普及程度的稳步提高，silicon motion公司正积极图谋利用其于本周闪存存储峰会上发布的最新ssd控制器进一步加快上述趋势。该公司表示，其商用sm2256每秒6gbit ssd控制器支持1x/1y/1z tlc nand，不仅是该类别中的首款产品、而且建立在其去年发布的初代sata 3 ssd控制器的容量基础之上。
silicon motion公司美国smi副总裁兼总经理robert fan表示，sm2256的设计目的在于利用其客户端设备为大量tlc nand提供支持——其中包括3d nand，并计划借此帮助oem厂商获取包括固件在内的完整软件包、从而不断向市场投放新的tlc nand ssd产品。他强调称，这项新型控制器技术将有助于降低tlc nand ssd产品价格，从而使其应用在更为广泛的客户端设备之上——其中包括目前仍普遍使用传统磁盘驱动器的笔记本设备。
今年早些时候ihs technology发布了一份报告，调查发现目前hdd市场由于智能手机与平板设备的快速崛起而陷入困境，这种状况也在一定程度上给消费级pc市场带来了影响。不过ssd市场仍在持续增长，这要归功于近来出现的ssd成本下降外加超级本与超薄式pc设备所引发的闪存驱动器使用热潮。
tlc nand方案面临的关键性挑战之一在于使用寿命，就这一问题fan表示可以利用合理的控制器技术成果加以解决，而这反过来都会进一步促进tlc nand的普及。sm2256控制器当中包括该公司的nandxtend技术，根据他的说法，该技术能够为tlc nand带来三倍于初始水平的p/e生命周期、同时克服了其在耐用性及数据保留方面的短板。
在性能方面，sm2256的连续读取能力可达每秒524mb，连续写入能力则可达每秒400mb，而随机读取与随机写入则分别可达9万iops与7万iops。fan表示sm2256的完整设计工具如今已经正式推出，其中包括一份控制器数据表、评估方案、原理图以及固件。该产品也能支持客户的自定义固件。silicon motion预计使用sm2256控制器的闪存产品将于明年年初与广大用户见面。
objective分析公司首席分析师jim handy指出，silicon motion目前在对应市场区划中拥有极具吸引力的定位，这主要是考虑到希捷已经收购了lsi、而marvell也受到了相当程度的认可。尽管silicon motion并没有在建立之初就迈入sata ssd控制器供应商阵营，但该公司自去年开始已经开始冲击这一市场，并依靠自身在usb设备控制器方面的丰富经验为tlc产品推广与使用体验改进提供辅助，他解释称。
handy表示，他曾在一年前预计tlc将迎来普及度提升，并指出这样的成长轨迹与mlc闪存颇为相似——后者当初也曾被认为无法胜任客户机ssd的可行方案。然而在找到了市场突破口之后，mlc最终还是取得了进军企业级市场的途径。他认为tlc将遵循同样的发展路线——在不久的将来被应用为客户机ssd，并最终出现在企业设备当中。当然，这一切在未来一到两年中恐怕还无法实现。
与此同时，内存供应商们正积极寻求改进nand整体成本竞争力的办法。举例来说，美光公司正在推进其16纳米tlc路线图，并预计将在今年年底时拿出16纳米tlc产品的示范性组件——基于客户机的tlc ssd则将在2015年春季面世。三星曾于2012年秋季公布过采用tlc机制与21纳米制程技术的64 gbit nand闪存产品，并于2013年5月公布了采用10纳米级别制程技术以及128 gbit tlc nand芯片的高级nand闪存设备。
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silicon motion公司美国smi副总裁兼总经理robert fan表示，sm2256的设计目的在于利用其客户端设备为大量tlc nand提供支持——其中包括3d nand，并计划借此帮助oem厂商获取包括固件在内的完整软件包、从而不断向市场投放新的tlc nand ssd产品。他强调称，这项新型控制器技术将有助于降低tlc nand ssd产品价格，从而使其应用在更为广泛的客户端设备之上——其中包括目前仍普遍使用传统磁盘驱动器的笔记本设备。
今年早些时候ihs technology发布了一份报告，调查发现目前hdd市场由于智能手机与平板设备的快速崛起而陷入困境，这种状况也在一定程度上给消费级pc市场带来了影响。不过ssd市场仍在持续增长，这要归功于近来出现的ssd成本下降外加超级本与超薄式pc设备所引发的闪存驱动器使用热潮。
tlc nand方案面临的关键性挑战之一在于使用寿命，就这一问题fan表示可以利用合理的控制器技术成果加以解决，而这反过来都会进一步促进tlc nand的普及。sm2256控制器当中包括该公司的nandxtend技术，根据他的说法，该技术能够为tlc nand带来三倍于初始水平的p/e生命周期、同时克服了其在耐用性及数据保留方面的短板。
在性能方面，sm2256的连续读取能力可达每秒524mb，连续写入能力则可达每秒400mb，而随机读取与随机写入则分别可达9万iops与7万iops。fan表示sm2256的完整设计工具如今已经正式推出，其中包括一份控制器数据表、评估方案、原理图以及固件。该产品也能支持客户的自定义固件。silicon motion预计使用sm2256控制器的闪存产品将于明年年初与广大用户见面。
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handy表示，他曾在一年前预计tlc将迎来普及度提升，并指出这样的成长轨迹与mlc闪存颇为相似——后者当初也曾被认为无法胜任客户机ssd的可行方案。然而在找到了市场突破口之后，mlc最终还是取得了进军企业级市场的途径。他认为tlc将遵循同样的发展路线——在不久的将来被应用为客户机ssd，并最终出现在企业设备当中。当然，这一切在未来一到两年中恐怕还无法实现。
与此同时，内存供应商们正积极寻求改进nand整体成本竞争力的办法。举例来说，美光公司正在推进其16纳米tlc路线图，并预计将在今年年底时拿出16纳米tlc产品的示范性组件——基于客户机的tlc ssd则将在2015年春季面世。三星曾于2012年秋季公布过采用tlc机制与21纳米制程技术的64 gbit nand闪存产品，并于2013年5月公布了采用10纳米级别制程技术以及128 gbit tlc nand芯片的高级nand闪存设备。
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