带ECC的CMOS汽车异步SRAM
issi is61/64wv5128edbll描述
issi is61/64wv5128edbll是高速异步sram，4,194,304位静态ram，组织为524,288字乘8位，采用issi的高性能cmos技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可提供高性能和高性能低功耗设备。
当ce为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过cmos输入电平降低功耗。
通过使用芯片使能和输出使能输入ce和oe，可以轻松扩展存储器。激活的low write enable（we）控制存储器的写入和读取。
is61/ 64wv5128edbll封装在jedec标准的44引脚tsop-ii，36引脚soj和36引脚mini bga（6mm x 8mm）中。
产品特征
•高速访问时间：8、10 ns
•低有功功率：85 mw（典型值）
•低待机功率：7 mw（典型值）
cmos待机
•单电源
-vdd 2.4v至3.6v（10 ns）
-vdd 3.3v±10％（8 ns）
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•工业和汽车温度支持
•无铅
•错误检测和错误纠正
issi 同系列主要产品
型号 容量 位宽 电压(v) 速度(ns) 封装(pins)
is61wv5128edbll 4mb 512kx8 2.4-3.6v 8,10 tsop2(44),bga(36)
is61wv5128all/bll 4mb 512kx8 1.65-3.6v 8,10,20 soj(36),tsop2(44),bga(36)
is64wv5128edbll 4mb 512kx8 2.4-3.6v 10 tsop2(44),bga(36)
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