芯片增加CP测试之后需要重新评估么
q1
请教一下各位大侠，一般芯片增加cp测试之后，可靠性需要重新评估么？评估哪些内容？
一般是这样子，大公司cp都要评估的，如果是新process，那cp部门要做doe，防止die crack等，但是如果是已经released的，连doe也不用做。可靠性就更不必谈了，除非是发生了问题，并且确认是cp引起的，可能需要讨论做一些可靠性与fa。
q2
谁有jesd22-a104e这个版本的标准，可以分享下吗？
q3
有人知道imc层怎么观察吗？行业内有规范吗？季丰对imc有没有相关的dpa标准？
wb站会用显微镜和软件染色来看面积，可靠性后我们会做下cross-section看imc生长
q4
各位大佬，有没有扫分层的sat资料分享一下呀？
超声波扫描显微镜sonoscan d9650，
老炼前后的对比照片，老炼后焊球的压痕还算正常吗？
如果目的是筛选的就会出货一般都是100%，目的是寿命的不出货一般是samples。
q6
什么是老炼？
国军标叫老炼，就是寿命实验的意思，就是加应力加速失效的过程。比如thb，elfr，htsl，tc，htol，……
q7
请问大家，wlcsp的 solder ball 下有passivation crack的问题，调整什么参数会有明显改善，例如可以通过更高次数的tc， solder ball 本身没有问题，这个是wlcsp封装，有rdl的。
加underfill一般会有帮助，但也不是所以情况都可以加。uf分cuf和muf，cuf在很多位置没有solder ball的情况下，即有大面积空位的情况下uf材料毛细效应弱，流不过去，会有空洞，这样加uf适得其反；muf要看这颗ic周围是不是适合做molding，周围的器件要不要一起mold起来，有些时候限制太多muf就不可能了，即使可以做muf，你也要开模具，增加一道工序，甚至要做热仿真。passivation crack 的话最好有crack位置的照片和量测数据，还有repassivation的材料和厚度，它下面rdl trace处的台阶高度，rdl trace宽度和间距等，这些信息可以帮助判断原因和提改进方法。其实这些都有design rule，逐一排查一下吧
q8
咨询一下，对于消费类电子，一般会做哪些可靠性项目？
ic类：
pkg-qual:precon， htsl， tc， uhast， bhast，
product-qual:esd（ibm.cdm）， lu， htol
可以多做，不少做
q9
pkg qual与product qual的区别是？
pkg qual是面向封装，product qual是面向产品（芯片本身的设计和工艺）
q10
那product qual就不需要做precon， htsl， tc， uhast， bhast实验了么？
如果只改了芯片设计，别的都没动，可以不做。
q11
再咨询一下，这些rule适用于所有消费类ic产品嘛？比如ic+mos，这样的acdc产品，是否也适用于该可靠性rule？
一般性适用，实际分具体情况。比如，如果是nvm往往要看data retention之类。
q12
1000hrs，1000cycles，这些时间或者周期可以缩短嘛？
可以啊，等效时间不同。大致意思是，可靠性实验是以加压的方式模拟自然（典型）时间条件，加速时间和典型时间会有个换算关系，比如你看到的1000hrs等效为10年，而你的产品不必保那么久，自然可以少做点。
q13
各位大神，请教下，中测trim过的，到成品测试恢复到熔丝前了，这一般有哪些情况？trim过有烧断痕迹的，开盖后探针测试没有阻值，没有熔断。
建议先看看成品熔丝恢复的情况再做推断，通常现象是成品熔丝有细微裂缝，但是连通电路，这就可能是wt熔断的冗余度不够，在封装时受到挤压连上了，再去看wafer的熔断情况，仅供参考。
q14
请教诸位个问题啊，汽车电子aecq100中的常温、高温、低温ft测试，业界一般都怎么做呀？如果用热流罩的话，测试效率太低了，有没有啥别的好的办法呢？
三温handler，可以编程设计。
q15
请教各位大佬， 固态硬盘bga颗粒和pcb焊接有很多气泡，影响和主要改善方向有哪些？（怀疑是baseline问题）
我们出现过类似的问题，问题原因是：flux没按固定存放。
q16
咨询一个问题，工业上的ic，一般msl是要求几的？
伺服驱动器上用的ic是msl2或msl1，分立器件用的都是msl1。
q17
请问一下，在做hbm时，芯片的测试条件是所有管脚都需要上1.1倍的设计工作电压呢，还是按照设计时使用的esd管子的最大电压来做？
hbm芯片不用上电的，latch up电源管脚才说上电的，io管脚是电流。
原文标题：季丰电子ic运营工程技术知乎 – 21w50
文章出处：【微信公众号：上海季丰电子】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
用于高功率高速光束扫描应用的全无源OPA的开发
蓝牙5.0模块已出，赶紧来围观啦！
5G网络趋势下 VR无线传输设备主要分为以下两大类
5G(NR)中Polar与LDPC码使用方法
轴承常见的10大损伤问题有哪些
芯片增加CP测试之后需要重新评估么
如何减小模态转换的影响呢？
EMS企业微电网能效管理平台在某食品加工厂35KV变电站应用
2020年IC市场增长有望恢复 NAND Flash保持领涨
购买网络自动化工具要考虑哪一些问题
服务于工业细分领域的工业机器人制造商“卡诺普”获近亿元B轮融资
特斯拉Q3季度中国销售额则同比增长64%，而美国销售额下降明显
韩国起亚签署合作协议 国科微8K超高清视频解码芯片服务“科技冬奥”
国际大厂LED照明传利多 有助未来发展
对AI产业来说，数码医疗可以快速发展
WAVE300波束形成技术
EMC的发展历史
中国移动通信运营商强势入场体育版权领域将成为现实
联想预测21世纪新元年科技趋势 AR/VR将带来教育生态变革
金龙汽车9月销量达3937辆，同比下降8.51%
请教一下各位大侠，一般芯片增加cp测试之后，可靠性需要重新评估么？评估哪些内容？
一般是这样子，大公司cp都要评估的，如果是新process，那cp部门要做doe，防止die crack等，但是如果是已经released的，连doe也不用做。可靠性就更不必谈了，除非是发生了问题，并且确认是cp引起的，可能需要讨论做一些可靠性与fa。
q2
谁有jesd22-a104e这个版本的标准，可以分享下吗？
q3
有人知道imc层怎么观察吗？行业内有规范吗？季丰对imc有没有相关的dpa标准？
wb站会用显微镜和软件染色来看面积，可靠性后我们会做下cross-section看imc生长
q4
各位大佬，有没有扫分层的sat资料分享一下呀？
超声波扫描显微镜sonoscan d9650，
老炼前后的对比照片，老炼后焊球的压痕还算正常吗？
如果目的是筛选的就会出货一般都是100%，目的是寿命的不出货一般是samples。
q6
什么是老炼？
国军标叫老炼，就是寿命实验的意思，就是加应力加速失效的过程。比如thb，elfr，htsl，tc，htol，……
q7
请问大家，wlcsp的 solder ball 下有passivation crack的问题，调整什么参数会有明显改善，例如可以通过更高次数的tc， solder ball 本身没有问题，这个是wlcsp封装，有rdl的。
加underfill一般会有帮助，但也不是所以情况都可以加。uf分cuf和muf，cuf在很多位置没有solder ball的情况下，即有大面积空位的情况下uf材料毛细效应弱，流不过去，会有空洞，这样加uf适得其反；muf要看这颗ic周围是不是适合做molding，周围的器件要不要一起mold起来，有些时候限制太多muf就不可能了，即使可以做muf，你也要开模具，增加一道工序，甚至要做热仿真。passivation crack 的话最好有crack位置的照片和量测数据，还有repassivation的材料和厚度，它下面rdl trace处的台阶高度，rdl trace宽度和间距等，这些信息可以帮助判断原因和提改进方法。其实这些都有design rule，逐一排查一下吧
q8
咨询一下，对于消费类电子，一般会做哪些可靠性项目？
ic类：
pkg-qual:precon， htsl， tc， uhast， bhast，
product-qual:esd（ibm.cdm）， lu， htol
可以多做，不少做
q9
pkg qual与product qual的区别是？
pkg qual是面向封装，product qual是面向产品（芯片本身的设计和工艺）
q10
那product qual就不需要做precon， htsl， tc， uhast， bhast实验了么？
如果只改了芯片设计，别的都没动，可以不做。
q11
再咨询一下，这些rule适用于所有消费类ic产品嘛？比如ic+mos，这样的acdc产品，是否也适用于该可靠性rule？
一般性适用，实际分具体情况。比如，如果是nvm往往要看data retention之类。
q12
1000hrs，1000cycles，这些时间或者周期可以缩短嘛？
可以啊，等效时间不同。大致意思是，可靠性实验是以加压的方式模拟自然（典型）时间条件，加速时间和典型时间会有个换算关系，比如你看到的1000hrs等效为10年，而你的产品不必保那么久，自然可以少做点。
q13
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建议先看看成品熔丝恢复的情况再做推断，通常现象是成品熔丝有细微裂缝，但是连通电路，这就可能是wt熔断的冗余度不够，在封装时受到挤压连上了，再去看wafer的熔断情况，仅供参考。
q14
请教诸位个问题啊，汽车电子aecq100中的常温、高温、低温ft测试，业界一般都怎么做呀？如果用热流罩的话，测试效率太低了，有没有啥别的好的办法呢？
三温handler，可以编程设计。
q15
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q16
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q17
请问一下，在做hbm时，芯片的测试条件是所有管脚都需要上1.1倍的设计工作电压呢，还是按照设计时使用的esd管子的最大电压来做？
hbm芯片不用上电的，latch up电源管脚才说上电的，io管脚是电流。
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