NAND Flash SLC MLC技术分析
nand flash slc mlc技术分析
什么是slc？
slc英文全称(single level cell——slc)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
slc技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(process enhancements)，才能向上提升slc制程技术。
什么是mlc？
mlc英文全称（multi level cell——mlc)即多层式储存。主要由东芝、renesas、三星使用。
英特尔（intel）在1997年9月最先开发成功mlc，其作用是将两个单位的信息存入一个floating gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。mlc通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。slc架构是0和1两个值，而mlc架构可以一次储存4个以上的值，因此，mlc架构可以有比较好的储存密度。
与slc比较mlc的优势：
签于目前市场主要以slc和mlc储存为主，我们多了解下slc和mlc储存。slc架构是0和1两个值，而mlc架构可以一次储存4个以上的值，因此mlc架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
与slc相比较，mlc生产成本较低，容量大。如果经过改进，mlc的读写性能应该还可以进一步提升。与slc比较mlc的缺点：
mlc架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，slc架构可以存取10万次，而mlc架构只能承受约1万次的存取。
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，mlc芯片理论速度只能达到2mb左右。slc架构比mlc架构要快速三倍以上。
再者，mlc能耗比slc高，在相同使用条件下比slc要多15%左右的电流消耗。
虽然与slc相比，mlc缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前mlc还是占了绝对的优势。由于mlc架构和成本都具有绝对优势，能满足未来2gb、4gb、8gb甚至更大容量的市场需求。
slc与mlc的识别： 一、看传输速度比如有两款采用rockchip芯片的产品，测试时写入速度有2、3倍优势的应该是slc，而速度上稍慢的则是mlc。即使同样采用了usb2.0高速接口的mp3，也不能改变mlc写入慢的缺点。
二、看flash型号
一般来说，以k9g或k9l为开头型号的三星闪存则是mlc，以hyuu或hyuv为开头型号的现代闪存应是mlc。具体芯片编号以三星和现代为例：三星mlc芯片编号为：k9g****** k9l*****。现代mlc芯片编号为：hyuu**** hyuv***
简单总结：如果说mlc是一种新兴的闪存技术，那么它的“新”就只体现在：成本低！
虽然mlc的各项指标都落后于slc闪存。但是mlc在架构上取胜slc，mlc肯定是今后的发展方向，而对于mlc传输速度和读写次数的问题已经有了相当多的解决方法，例如采用三星主控芯片，wear leveling技术，4bit ecc校验技术，都可以在采用mlc芯片的时候同样获得很好的使用效果，其性能和使用slc芯片的没有什么差别，而会节省相当多的成本.
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slc英文全称(single level cell——slc)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
slc技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(process enhancements)，才能向上提升slc制程技术。
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mlc英文全称（multi level cell——mlc)即多层式储存。主要由东芝、renesas、三星使用。
英特尔（intel）在1997年9月最先开发成功mlc，其作用是将两个单位的信息存入一个floating gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。mlc通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。slc架构是0和1两个值，而mlc架构可以一次储存4个以上的值，因此，mlc架构可以有比较好的储存密度。
与slc比较mlc的优势：
签于目前市场主要以slc和mlc储存为主，我们多了解下slc和mlc储存。slc架构是0和1两个值，而mlc架构可以一次储存4个以上的值，因此mlc架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
与slc相比较，mlc生产成本较低，容量大。如果经过改进，mlc的读写性能应该还可以进一步提升。与slc比较mlc的缺点：
mlc架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，slc架构可以存取10万次，而mlc架构只能承受约1万次的存取。
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，mlc芯片理论速度只能达到2mb左右。slc架构比mlc架构要快速三倍以上。
再者，mlc能耗比slc高，在相同使用条件下比slc要多15%左右的电流消耗。
虽然与slc相比，mlc缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前mlc还是占了绝对的优势。由于mlc架构和成本都具有绝对优势，能满足未来2gb、4gb、8gb甚至更大容量的市场需求。
slc与mlc的识别： 一、看传输速度比如有两款采用rockchip芯片的产品，测试时写入速度有2、3倍优势的应该是slc，而速度上稍慢的则是mlc。即使同样采用了usb2.0高速接口的mp3，也不能改变mlc写入慢的缺点。
二、看flash型号
一般来说，以k9g或k9l为开头型号的三星闪存则是mlc，以hyuu或hyuv为开头型号的现代闪存应是mlc。具体芯片编号以三星和现代为例：三星mlc芯片编号为：k9g****** k9l*****。现代mlc芯片编号为：hyuu**** hyuv***
简单总结：如果说mlc是一种新兴的闪存技术，那么它的“新”就只体现在：成本低！
虽然mlc的各项指标都落后于slc闪存。但是mlc在架构上取胜slc，mlc肯定是今后的发展方向，而对于mlc传输速度和读写次数的问题已经有了相当多的解决方法，例如采用三星主控芯片，wear leveling技术，4bit ecc校验技术，都可以在采用mlc芯片的时候同样获得很好的使用效果，其性能和使用slc芯片的没有什么差别，而会节省相当多的成本.
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