PT-IGBT与NPT-IGBT的区别
pt-igbt与npt-igbt的区别
1、pt-igbt
图1实际上是pt型1gbt芯片的结构图，图2（c）是其导电原理。所谓pt（punchthrough，穿通型），是指电场穿透了n-漂移区（图1中③），电子与空穴的主要汇合点在n一区［图1（c）］。
npt在实验室实现的时间（1982年）要早于pt（1985），但技术上的原因使得pt规模商用化的时间比npt早，所以第1代igbt产品以pt型为主。
pt-igbt很好地解决了igbt的闩锁问题，但是需要增加外延层厚度，技术复杂，成本也高。igbt芯片中的外延层与电压规格是直接相关的，电压规格越高、外延层越厚，izoov、2000v的pt-igbt外延层厚度分别达到了100μm和200μm。
2、npt-igbt
所谓npt（non-punchthrough，非穿通），是指电场没有穿透n-漂移区，构如图3所示。npt的基本技术原理是取消n十缓冲区（图1中的④），直接在集电区（图1中的⑤）注入空间电荷形成高阻区，电子与空穴的主要汇合点换成了p十集电区。这项技术又被称为离子注入法、离子掺杂工艺。
3、pt-igbt与npt-igbt生产工艺与技术性的区别
pt与npt生产工艺的区别如下：
pt-igbt芯片的生产从集电区（p+背发射区）开始，先在单晶硅的背面生成低掺杂的p+发射区，然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成n十缓冲区、mos结构。
npt-igbt芯片的生产从基区（n-漂移区）开始，先在n型单晶硅的正面生成mos结构，然后用研磨减薄工艺从背面减薄到igbt电压规格需要l的厚度，再从背面用离子注入工艺生成集电区。
pt-igbt与npt-igbt介绍 igbt的结构多种多样，但从纵向结构来看可归为穿通型，非穿通型。这两类igbt的划分依据为：临界击穿电压下pbase-ndrift结耗尽层的扩展是否穿透了n-基区。
pt（punchthrough）：最“古老”的igbt技术，在1980~1990年间占据主导地位，英飞凌第一代igbt就是采用的pt技术。
npt（non-punchthrough）：npt-igbt由德国西门子公司于1987年推出，为上世纪90年代的主流产品。英飞凌第二代igbt采用npt技术。
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pt-igbt很好地解决了igbt的闩锁问题，但是需要增加外延层厚度，技术复杂，成本也高。igbt芯片中的外延层与电压规格是直接相关的，电压规格越高、外延层越厚，izoov、2000v的pt-igbt外延层厚度分别达到了100μm和200μm。
2、npt-igbt
所谓npt（non-punchthrough，非穿通），是指电场没有穿透n-漂移区，构如图3所示。npt的基本技术原理是取消n十缓冲区（图1中的④），直接在集电区（图1中的⑤）注入空间电荷形成高阻区，电子与空穴的主要汇合点换成了p十集电区。这项技术又被称为离子注入法、离子掺杂工艺。
3、pt-igbt与npt-igbt生产工艺与技术性的区别
pt与npt生产工艺的区别如下：
pt-igbt芯片的生产从集电区（p+背发射区）开始，先在单晶硅的背面生成低掺杂的p+发射区，然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成n十缓冲区、mos结构。
npt-igbt芯片的生产从基区（n-漂移区）开始，先在n型单晶硅的正面生成mos结构，然后用研磨减薄工艺从背面减薄到igbt电压规格需要l的厚度，再从背面用离子注入工艺生成集电区。
pt-igbt与npt-igbt介绍 igbt的结构多种多样，但从纵向结构来看可归为穿通型，非穿通型。这两类igbt的划分依据为：临界击穿电压下pbase-ndrift结耗尽层的扩展是否穿透了n-基区。
pt（punchthrough）：最“古老”的igbt技术，在1980~1990年间占据主导地位，英飞凌第一代igbt就是采用的pt技术。
npt（non-punchthrough）：npt-igbt由德国西门子公司于1987年推出，为上世纪90年代的主流产品。英飞凌第二代igbt采用npt技术。
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