MOS管和晶体管的概念
什么是mos管?
mos晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。mos管的源漏是可互换的，它们是在p型背栅中形成的n形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。
什么是晶体管?
在严格意义上，晶体管是指基于半导体材料的单个元件、由各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅等。晶体管有时指晶体的晶体管。
晶体管分为两大类：双极晶体管(bjt)和场效应晶体管(fet)。晶体管有三个极;双极晶体管有三个极，分别是发射极、基极和集电极。场效应晶体管有三个极：源极、栅极和漏极。
双极性晶体管是指一种常用于音频电路的晶体管。两极是由流经两种半导体材料的电流系统之间的关系而来。双极性晶体管可根据工作电压的极性分为npn或pnp类型。
双极晶体管和mosfet晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。
从这一点来看，在开关期间，mosfet必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双极晶体管和mosfet器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功率器件的典型值大约为20 至200 皮秒，具体取决于器件大小。
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